新加坡《联合早报》近日发文称“美西方在稀土-芯片赛跑中占上风”，这与近期事实不符，其“稀土技术门槛低、西方突破快”的核心论点被多条最新进展直接证伪。 1. 技术门槛：稀土分离纯化并非“低科技” 中国把稀土杂质率稳定控制在0.001%以下，全球仅中国能做到；美国企业若自行建设分离线，环保成本比中国高30%-50%，且核心设备仍需进口。 全球75%的稀土加工专利在中国手中，美国每生产1吨磁体需额外支付2.3万美元专利费，这已构成“技术墙”，而非“时间差”。 2. 时间窗口：西方重建供应链需10-20年，远慢于中国芯片突围 美国本土最大稀土企业MP Materials 2024年财报显示全年净亏损超6500万美元，其精矿仍需运往中国分离，所谓“25年来首块美国稀土磁铁”仅是象征性小批量试产，距离商业化量产至少5年。 反观中国：28纳米成熟制程已完全国产化，14纳米良率突破75%，7纳米光刻机进入冲刺阶段；长江存储232层NAND良率已与三星持平，中微5纳米刻蚀机已供货台积电。 因此，所谓“西方稀土突破快、中国芯片突破慢”的时间判断，与现实进程完全颠倒。 3. 产业链现实：中国“以稀土换技术”已拿到筹码 2025年6月中美临时协议的核心就是“中国先交付民用稀土，美国后放宽芯片软件与设备出口”，这说明美国在高端芯片尚未真正“去中国化”之前，已不得不向中国稀土低头；若西方真如《联合早报》所言处于优势，根本无需签署这种“先付后收”的不对等协议。 一句话，稀土分离纯化的技术壁垒、专利壁垒和成本壁垒远高于《联合早报》的“低科技”判断；而中国芯片产业的实际进展又远快于其“长期难突破”的假设。因此，当前“稀土-芯片”赛跑的领先者不是美西方，而是中国。