热阻直降30%！SK海力士iHBM问世，破解HBM高密度堆叠散热难题

AI算力需求激增推动HBM堆叠层数持续走高，12层、16层逐步向20层以上演进，高密度堆叠带来强劲性能的同时，热量集中问题愈发突出，散热成为制约下一代HBM迭代、AI算力稳定释放的关键瓶颈。5月26日，SK海力士正式推出iHBM新技术，内置一体化冷却单元，有效攻克积热痛点，且具备高兼容性，助力HBM技术快速落地普及。

一、iHBM核心技术：内置ICE冷却单元，散热效率大幅提升

传统HBM依靠核心芯片向外间接导热，散热路径长、热阻大，芯片中心易堆积热量，频繁出现降频、硬件故障等问题。
iHBM创新性嵌入ICE一体化冷却元件，该元件采用高导热绝缘硅基材料打造，精准布置在发热最集中的D2D PHY互联区域，在热源核心搭建专属散热通道。实测数据显示，相比传统方案，整体热阻下降30%以上，高负载、长时间AI训练场景下，芯片运行稳定性显著增强，算力输出更平稳。

该技术沿用成熟MR-MUF晶圆级封装工艺，适配现有SiP封装环境。下游厂商无需大规模改造GPU基板、封装模具，就能直接搭载使用，大幅降低新技术导入成本与迭代周期，商业化落地速度更快。

二、行业多点开花，芯片散热走向多元化技术路线

当下全球科技企业围绕芯片散热展开多路径探索，技术方案覆盖封装结构、冷却介质、新型材料等多个方向：

1. 三星：发力多层堆叠FOWLP技术，依托高导热铜柱搭建导热桥梁，搭配HPB散热结构块，通过优化封装物理形态实现热量疏导。
2. 微软：研发微流体冷却技术，在芯片内部蚀刻微型流道，将冷却液直送晶体管级热源，推动液冷技术向芯片微观层级渗透。
3. 业界主流方案：金刚石铜复合基板搭配温水直液冷，利用金刚石超高导热特性快速均热、传温，进一步提升极限工况下的散热能力。

行业趋势已经明确，AI算力竞争不再单纯比拼硬件堆叠，散热、功耗、架构协同等系统级设计，成为核心比拼维度。

三、技术价值：护航HBM迭代，优化AI数据中心运营

先进散热技术是HBM向更高堆叠层数升级的基础保障，iHBM可为HBM5及后续产品向20层以上演进扫清热管理障碍，保障技术迭代节奏。

同时，HBM过热是数据中心GPU故障的主要诱因之一。散热能力升级后，硬件故障率、停机维护成本有效降低，也避免温控降频造成的算力损失。对于大型AI集群而言，整体能效提升还能持续削减电力开支，创造可观的经济价值。散热已从配套工程，转变为影响AI基础设施综合效能的核心环节。

四、受益企业

长电科技：掌握先进晶圆级封装、堆叠封装技术，适配iHBM相关封装代工需求。
通富微电：深耕高端存储封装领域，承接HBM封装订单，受益技术升级浪潮。
中石科技：主营高导热复合材料、导热界面材料，适配芯片内部及封装散热场景。
飞荣达：布局各类导热、散热器件，供货存储、算力芯片产业链。
安集科技：配套晶圆级封装材料供应，支撑MR-MUF工艺规模化应用。

以上信息仅供参考，不构成投资建议。