近日，中国的国产光刻机信息在国家官方媒体平台上架。其产品命名为：氟化氩光刻机，是DUV光刻机的一种，采用了干式的光刻技术，可以通过一次曝光进行65nm工艺的产品制造，经过多曝光，可以达到8nm左右工艺的水平。
如果将这个产品与国际上面的产品相比，相当于日本企业和荷兰企业20年前的产品水平。虽然落后，但是这对于现在的中国来说，已经是国内能达到的最高水平了。
干式技术和浸润式技术现在光刻机的市场分为三种技术：干式、浸润式、极紫外线。
干式和浸润式都属于DUV光刻机技术，极紫外线属于EUV光刻机技术。
当年干式技术的领军企业就是日本的佳能和尼康，荷兰的asml还属于小企业，在技术水平和企业规模上面完全比不了这两个日本的国际巨头。当时干式技术的波长在193nm，想要继续推进到下一个技术节点，必须要缩短波长，佳能、尼康、asml都被卡在了这一步上面。
台积电有个副总裁叫林本坚，他是主攻光学领域技术出身的工程师。在光刻技术进入瓶颈期之后，林本坚采用逆向思维，既然无法直接解决光源的问题，那么我们就从光源照射之后进行技术改革。
他选择用水作为介质，加入到设备当中。光源进入水中之后，会进行折射，折射之后的光源要比直接照射的光源波长更短，可以缩短到134nm，这样就直接解决了技术瓶颈的问题。
他将这项技术命名为浸润式微影技术，也就是后来DUV光刻机的核心技术理念，也是asml甩开佳能和尼康的关键技术节点。
当时林本坚拿着新技术去找美国、日本、德国的一些企业寻求合作，但是这些大企业很谨慎，对他的新技术并不是太认可。这些大企业觉得整个行业都解决不了的问题，他一个小工程师怎么可能有办法解决，他的技术方案一定是夸大其词的。
但是台积电内部对他的技术很是认可，张忠谋想尽办法给他找企业进行合作，推动新技术的落地。
最终荷兰的asml选择与台积电合作，采用林本坚的新技术打造产品。
一年之后，asml的全新浸润式光刻机诞生，并且直接投入商业市场使用。
而老牌的大厂尼康，还是选择走之前的老路线，联合美国硅谷的技术部门，对光源以及设备材料进行革新。不但光源需要重新测试，光刻胶等配套的材料也要全部推倒重来，工程量很大。
在asml的浸润式光刻机投入使用之后，尼康157nm波长的光刻机才姗姗来迟。技术的差距已经决定了历史的进程，asml的浸润式光刻机不但技术水平先进，而且产品的良品率以及交付的市场效果也很不错。
哪怕是英特尔、IBM这些IDM产业模式的国际巨头，也会将自家的产品订单优先拉到asml光刻机的生产线上。台积电也跟着沾了光，作为asml的最初合伙人，新产品推出之后，都是优先供应台积电，随后是英特尔、三星、IBM这些企业。
未来的发展方向中国公布的这台光刻机虽然是干式的技术，但是这个产品已经是我们能达到的最高水平了。如果要继续缩短与国外的产品差距，有三种技术方法：
1、找寻新介质
2、想办法绕过林本坚和台积电的技术专利
3、越级发展极紫外线设备
第一种方法相当于开创一个全新的技术手段，而且找到新介质之后，产品效率以及良品率都还需要很长时间进行验证之后，才可以推入消费市场。如果达不到量产的指标，就需要重新进行技术优化，还有可能会推倒重来。
第二种方法难度较高，毕竟台积电的光学专利到现在已经将近20年的时间了，技术壁垒相当深厚。想要避开他们的专利，就要在技术上面直接进行革新，这就需要专业的技术团队进行技术攻关，而且技术团队的水平需要行业顶尖，不然只能是浪费时间。
第三种方法的技术难度极高，而且也是成功率最小的方法。极紫外线光刻机不但要技术，还要上下游供应链的协同。
中微半导体的董事长尹志尧曾经讲过，集成电路我们讲的是集成两个字，这就需要全世界各企业的合作发展，哪怕是强如美国，也不可能用一国之力打造出光刻机这种高端的产品。
我们可以完成极紫外线技术当中的某个环节，但是能否将这个技术应用到产品当中推入消费市场，是另一回事。
比如长春光机所，在光学系统领域有着极高的技术研发能力。
2002年完成了第一套EUV光刻原理装置的研发，将EUV技术进行了贯通。
2016年宣布完成了EUV光学曝光的技术工作台，完成了极紫外线整套曝光装置的技术测试。
目前我们掌握的还都是某个环节的技术替代，无法将全部的产品技术去欧美化。
日本企业占据着集成电路材料70%的市场份额，甚至日本的东京电子靠着给全球半导体行业供应设备材料，将企业规模做到了整个行业全球第三的位置，仅次于荷兰的asml和美国的应用材料。
我们能在美国的压制之下搞出干式的光刻设备，这已经相当不容易了，甚至可以说是超水平发挥。对我们来说，这个技术很先进，但是在国际层面来说，我们还是很落后。
