对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象；“分凝系数”= (杂质在固相中的溶解度)/(杂质在液相中的溶解度)；

氧含量分凝系数为1.25，固体的溶解度大于液体的溶解度。

在单晶的生长过程中，是由中心向外不断生长的过程，

1、由于刚转完肩没有预定成晶液面（也称定埚位），给埚升使埚位达到预定位置，到达埚升速度相对等径埚升速度较快。

2、单晶头部进入水冷时，由于单晶热传递，会对成晶液面的温度造成波动。

主要由于上述两点会造成单晶头部温度波动大，由于温度的不同导致氧的溶解度不同，进而形成同心圆。温度低，氧高（相对值）如果是半圆的切面为“中心黑”，如果是半圆的截面为“中心环”，如果是不同半圆界面为“多环”。

3、前期中心低时间较短，中心黑相对较少，温度的变换相对持续一段时间，多环出现的较多。

由于分凝系数，理论同心圆只出在头部，但是由于拉晶是个动态的过程，硅液中热对流，会引入氧含量，加上尾部温度波动较大。这样单晶整体同心圆出现概率头部＞尾部＞中部。

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