三星新Exynos旗舰芯片或采用3nm多信道桥式FET,功耗损耗降低50%

占地为王数码 2024-05-09 10:02:41

联发科自从发布天玑9000系列芯片之后,在高端市场俨然有成了的气势。虽然短时间内无法和高通8系芯片旗鼓相当,但是也已经不容小觑。反观之前一直坚持研发高端芯片的三星,Exynos系列芯片屡屡受挫,甚至被自家的手机部门嫌弃,处境相当的尴尬。

不过,近日或将正式亮相的Exynos2500,或将扭转三星在高端芯片市场的劣势。据悉,Exynos2500或采用3nm工艺中的Gate All Around工艺。通过多信道桥式FET,可在不功耗损耗方面对比其它3nm芯片降低50%,同时,还比上代提升30%以上的密度和能效。

如此一来,三星Exynos系列芯片一直被诟病的发热问题,极有可能会出现颠覆性升级,有望追赶高通和联发科。当然,三星每一代芯片在数据上都是极好的,实际表现却多有拉垮。所以,Exynos2500能不能担当大任,还要等商用之后才能找到答案。

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