三星第 9 代 V-NAND QLC 将提供更高的存储容量和性能，同时保持 AI 工作负载的能效。
几个月前，三星开始批量生产其第一款 TLC（三层单元）第 9 代 V-NAND，使位密度增加 50%。今天，它宣布量产第 9 代 QLC V-NAND，为 AI 应用提供高性能和低功耗运行。QLC V-NAND 是通过各种技术的组合生产的，这导致了目前可能的最高层数。
QLC 或四层单元 V-NAND 引入了通道孔蚀刻、设计模具和预测程序，以确保内存能够以紧凑的尺寸达到高密度，同时为读写操作提供更好的可靠性。
执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“QLC 第 9 代 V-NAND 在 TLC 版本发布仅四个月后就成功开始量产，使我们能够提供全系列的高级 SSD 解决方案，以满足 AI 时代的需求。”
他还表示，随着企业级 SSD 市场的快速增长以及对运行 AI 应用程序的更好硬件的需求不断增加，三星的使命是巩固其在存储领域的领导地位。为确保公司领先于竞争对手，QLC 第 9 代 V-NAND 将从品牌消费产品开始，将产品阵容扩展到 UFS、PC 和服务器 SSD。
三星的通道孔蚀刻技术用于实现业内最高的层数，具有双堆栈结构QLC V-NAND 的密度比上一代 QLC V-NAND 高 86%与以前的版本相比，采用 Designed Mold 将数据保留性能提高了约 20%，从而提高了产品的可靠性。三星第 9 代 V-NAND 的 QLC 通过这项技术的进步，写入性能提高了一倍，数据输入/输出速度提高了 60%。通过使用低功耗设计技术，数据读取和写入功耗分别降低了约 30% 和 50%。通过通道孔蚀刻，该公司可以创建垂直通道，以允许在堆叠的 V-NAND 单元中传输数据。与以前的 NAND 存储器相比，借助这项技术，三星可以提供更高的层数。此外，采用双堆栈结构，内存层将在芯片内以两个单独的堆栈形式排列，确保在密度增加 86% 的同时降低热量产生。
接下来是 Designed Mold 技术，该技术将调整字行的间距并确保各层单元的均匀性。这将帮助 QLC V-NAND 实现一致和可靠的性能，将数据保留率提高近 20%。使用的另一种技术是预测程序，它将优化数据写入 NAND 单元的方式。这将通过在写入操作期间预测 cells 的状态来防止不必要的更改，从而使读取和写入数据的性能提高大约 60%。
三星正在通过提供高能效和高性能的 NAND 来满足 AI 市场的需求，但也在扩大其移动和计算设备的产品阵容。
