华为真“手搓”出了5nm芯片？面对美国的封杀，华为又取得了一个小突破。

今早，余承东突然宣布华为P系列手机改名为Pura系列。虽然名字有些拗口，没有原来好读了，但透露出的信息量可不少。

第一，在这个时间点改名，说明传了很久的P70/Pura70真的要上市了，改名是在为新手机预热，先赚波流量。

第二，在这个时间点改名，也预示着Pura70并非P60的简单延续，而是一个新时代的开端。这个“新时代”很可能是指华为已实现了5nm芯片的国产化。

猜测并非空穴来风。

十几天前，英国《经济学人》就有报道称，华为已完成5nm的工艺研究，正在攻关3nm的技术。

由此推测，Pura70搭载的芯片是比Mate60还先进的麒麟9100。

有证据吗？

有的！证据藏在本月初华为申请的一项专利。这份专利的名字有点拗口，叫《自对准四重图案化半导体装置的制作方法》。

这么长的名字说的其实是一种制作芯片的工艺。这种工艺实现了在DUV光刻机上刻制5nm，甚至3nm芯片的突破。

说到这里，有些粉丝可能不相信。因为美国人曾言之凿凿地表示“没有EUV光刻机就不可能生产出5nm制程以下的芯片”。在断供了EUV情况下，华为不可能做出5nm芯片。

但美国人漏算了华为工程师的力量。

经过3年的研发，华为工程师采用“多重曝光+SAQP”的工艺，即专利名中的“自对准四重图案”，绕开了EUV封锁，在DUV上做出了5nm芯片。

众所周知，EUV和DUV的区别主要在光波上，EUV的光波比DUV短，所以能在芯片上刻出更小的晶体管。如同在一粒米上刻字，DUV用的是菜刀，EUV是刻刀。

但DUV可以通过“多重曝光”的工艺，增加晶体管的密度。简单理解就是EUV一次完成的工作，DUV多做几次，晶体管的数量不就追上来了吗？

道理很简单，但“多重曝光”有个严重的问题——曝光的次数越多，越无法保证后来的晶体管能精准地出现在预先规划的位置。毕竟晶体管之间的距离只有头发丝的万分之一。

DUV再高科技，也无法100%保证如此短的距离不产生误差。

一旦多次曝光中有一次出现了误差，芯片就报废了。

为此，华为工程师给出的解决方案是“自对准”即SAQP工艺——在多次曝光前，先给芯片按个“GPS导航”，方便DUV确认位置，误差便缩小了。

一位在台积电工作过的朋友告诉我：SAQP和多重曝光都不是什么新技术，十几年前就有了，台积电和三星一直有用，但华为把两者结合起来用，在业内尚属首次。

他调侃这种制作5nm芯片的工艺是“土法炼钢”，炼出的“钢”能用，但良品率低，成本高。

在2010年—2013年，三星曾经剑走偏锋，采用SAQP的工艺，缩小了与台积电的差距，甚至一度取得领先。但EUV光刻机横空出世后，台积电又迅速夺回了领头羊的位置。

从中我们不难看出，“多重曝光+SAQP”只是权宜之计。华为想要完全突破封锁，还是需要先进的EUV光刻机。

值得留意的是，华为已悄悄在上海青浦投建了一家光刻机研究院。

据台湾省、日韩、欧洲、美国的半导体企业透露：华为正在用2-5倍的薪水挖他们的员工。园内实行封闭管理，外人极难进入。

只知道园区是一座欧式小镇，内设有小火车搭载员工，与深圳的总部很像。如果不是华为四处挖人，这家光刻机研究院也不会曝光得这么快。

虽然我们光刻机比芯片制程距离世界先进水平的差距还要大，但再困难的事儿总要有人迈出第一步，做就有机会，不做就是零。

一年前，有位科技博主采访了一位在青岛从事晶圆制造的日本人，问他为何会选择来中国工作？是钱多吗？

这位60多岁的日本老者答道：“是机会。在芯片竞赛上，我们已经败了。来中国工作是认为你们有机会超过美国。你们要加油啊！”

不管他的回答是不是出于真心，但华为在芯片上确实没有退路了，只有撸起袖子加油干！Pura70将会吹响反击的号角！

作者：9527