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制造芯片离不开光刻机，这已经是行业常识，而ASML的光刻机世界领先，也是唯一能量产EUV光刻机的厂商。只是受限于美国规则，ASML无法将EUV光刻机出货到大陆。

能够出货的都是些旧款光刻机，成熟工艺制程该如何造出更先进的芯片呢？于是四重曝光技术来了，彻底打破美国封锁，超级科技复合体即将问世。

2017年，台积电使用DUV光刻机造出了7nm芯片，理论上DUV光刻机不支持7nm芯片，因为DUV光刻机一次曝光的工艺基本锁定在14nm或者更成熟的28nm。要想造出7nm高端芯片，最好的选择是采用EUV光刻机。

EUV光刻机波长为13.5nm，能够用精度更高的光源曝光出7nm，5nm甚至更高的晶圆。如果把光刻机的光源比作一把刻刀，那EUV的刻刀比DUV光刻机更细，刻出来的清晰度存在很大的区别。

如果没有EUV光刻机，又想造出高端芯片该怎么办？那便只能使用多重曝光技术了，一次曝光不行就曝光两次。台积电成功了，验证了多重曝光技术的可行性。

其实英特尔也曾在2016年探索多重曝光技术，彼时在生产10nm芯片时，因为ASML的EUV光刻机没有交付，英特尔只能尝试多重曝光，最终失败了，导致Cannon Lake处理器项目取消。不甘心的英特尔想继续尝试，可最终量产出来的芯片未能达到性能标准。

美国封锁EUV光刻机向中国出货，所以对中国而言，要想用DUV光刻机造出更先进的芯片，多重曝光技术是一个方向。从理论变成现实需要付出非常多的努力，所幸的是中企并没有放弃，成功取得了突破。

多重曝光技术的难度不小，英特尔都没能搞定，可如果是四重曝光技术呢？这个看似不可能的技术，已经被华为攻克了。

根据国家知识产权局公布的信息可知，华为申请了一项名为“自对准四重图案化半导体装置的制作方法以及半导体装置”的专利，专利摘要中提到可以提高电路图案设计的自由度。

对准四重图案化半导体装置的制作方法中，“对准”是指在不同光刻层之间实现对准精度，确保各个层次的图案能够准确叠加，从而形成完整的器件结构。

而“四重图案化”则表示在制作过程中需要进行四次光刻步骤，每次都要进行对准操作，以确保最终器件的准确性和性能。

简单来说，通过对准四重图案化的技术，可以在同一硅片上制作出多层次、多功能的器件结构，从而实现更高性能、更小尺寸的芯片设计。这对于提高集成电路的密度、增强器件功能和性能至关重要。

有了这项技术的支持，彻底打破美国封锁，华为麒麟9000S芯片破茧重生就是最好的证明。一个超级科技复合体即将问世，如今的华为在通信、芯片、操作系统等领域全面开花，去年的销售额突破7000亿大关，一切都在越来越好。

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