近期，充电头网在拆解安克 Zolo 6000mAh磁吸无线充电宝时发现，该产品内部采用了英集芯的全套方案。其中同步升降压开关管和控制无线充电模块供电的MOS管均来自英集芯。

英集芯是一家专注于高性能、高品质数模混合芯片设计的公司，主营业务涵盖电源管理芯片和快充协议芯片的研发与销售。从过往三千多篇拆解报告记录来看，这也是充电头网首次在拆解中发现了英集芯的MOS管，是否预示着英集芯有意进军功率器件市场？充电头网将对这两款MOS进行深入解析。

IP04N03B是英集芯推出的一款NMOS，具有极低导通电阻和高电流承载能力，非常适合用于高效的DC/DC转换器和负载开关应用。

在30V的漏源电压（VDS）条件下，该MOS管能够承载高达65A的电流。导通电阻在栅源电压（VGS）为10V且漏极电流（ID）为20A时仅为3.1mΩ，而当VGS降低到4.5V时，导通电阻稍微增加到4mΩ。低导通电阻可有效减少在高电流应用中的功耗并提高整体效率，该MOS管采用PDFN3030封装，适用于便携式设备和电池供电产品中对高效率和低功耗要求较高的电源管理电路之中。

英集芯 IP04N03B 资料详细信息。

IP15N03M是一款专为高效DC/DC转换器和负载开关应用设计的MOS管，在上述拆解案例中用于控制无线充电模块供电，具有低导通电阻和中等电流承载能力。

在30V的漏源电压条件下，该MOSFET可以承载8A的电流。导通电阻在栅源电压为10V且漏极电流为5A时为14.5mΩ，而在栅源电压降低至4.5V且漏极电流为4A时，导通电阻略微增至17mΩ。该MOS管采用SOT23-3L封装。

英集芯 IP15N03M 资料详细信息。

英集芯不仅在电源管理和快充协议芯片领域处于行业拔尖水平，其推出的MOS管产品也展现出了非常优越的性能，IP04N03B具备高电流承载能力和极低导通电阻，IP15N03M的适中电流支持和可靠性能，都显示了英集芯在功率器件市场上的潜力。

相信随着这些产品的广泛应用和产品矩阵的逐步丰富，英集芯可在快速变化的技术市场中保持竞争力和增长潜力。充电头网也将继续关注英集芯在这一领域的发展动态，并期待其在未来推出更多高性能的功率器件解决方案。