Transphorm被收,GaN公司寥寥无几了

芯片界小小学生 2024-01-17 14:06:10

1月11日,瑞萨电子收购Transphorm消息一出,后者股价高开高走,收盘大涨25.86%。这种情况并不多见,可见市场投资者认知惊人的一致。反观瑞萨股价,由于已在高位,并没有大涨。

事实上,早在2023年10月25日,英飞凌科技收购加拿大GaN Systems(氮化镓系统公司)尘埃落定之际,笔者就已提出“收购会不会延续?”的问题:“鉴于GaN和SiC可以覆盖几乎整个电压范围的各种应用,不知道作为功率半导体翘楚的安森美会不会也打起GaN的主意,毕竟现在市场上的GaN公司已经为数不多了,比如EPC、Transphorm、英诺赛科(Innoscience)等。要买就得及早下手了!”

果不其然,文中提到的成立于2007年的Transphorm时隔两个月就有了自己的归宿。

“卖身”早有先兆

2023年11月9日,Transphorm公布了2024财年第二季度(6-9月)业绩,并透露正在寻找买家。据悉,此前Transphorm已与Microchip、Nexpria、FUJITSU、KKP、AFSW、YASKAWA、MARELLI等众多厂商达成战略合作,并于2020年在美国成功上市;2022年2月,Transphorm普通股获准在纳斯达克资本市场交易。

Transphorm的第二季度业绩报告显示,其季度总收入为500万美元,同比增长36.5%,环比下降15%。其中,GaN产品收入355万美元,超出公司预期,同比增长12%,环比增长18%;政府收入为146万美元。该季度毛利率为23.4%,同比增长11.5%。

在财报会议上,Transphorm首席执行官兼联合创始人Primit Parikh表示:“鉴于我们从第三方收到的兴趣反馈,我们正在系统地寻求多种选择,可能包括合并或出售公司。”根据第三方报告,2021年Transphorm的GaN营收在业内排名第六。

缺啥补啥,瑞萨加码GaN赛道

瑞萨电子与Transphorm宣布,双方已达成最终协议,将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm 1月10日的收盘价溢价约35%,较过去12个月的成交量加权平均价格溢价约56%,较过去6个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。

Transphorm CEO Primit Parikh博士和Renesas CEO Hidetoshi Shibata

瑞萨科技成立于2003年,由日立和三菱半导体部门合并而成;2010年,瑞萨科技和NEC电子合并经营,诞生了全新的半导体专业制造商瑞萨电子。作为全球微控制器(MCU)供应商,瑞萨电子融合了嵌入式处理、模拟、电源及连接方面的专业知识,为客户提供完整的半导体解决方案。

瑞萨的产品线主要包括:微控制器和微处理器、模拟产品、汽车产品、时钟和时序、接口与有线连接、储存器和逻辑器件、电源管理、可编程混合信号、ASIC与IP产品、RF/无线连接、传感器等。在电源管理产品线下的FET和电机驱动器中就有GaNFET驱动器,不过仅驱动器而已,缺的就是被驱动的功率半导体——GaNFET。

与竞争对手需要定制驱动器或栅极保护的E-mode GaN器件解决方案不同,Transphorm的SuperGaN® FET器件可以使用现成的驱动器来驱动,可以为客户使用Transphorm器件带来成本优势。不出意外,SuperGaN® FET也可以使用瑞萨的GaNFET驱动器,形成驱动器+功率器件的产品格局。

前不久,Transphorm还推出了一款高性能、低成本的驱动器解决方案,是为高速、非隔离、高压半桥栅极驱动器,有助于进一步降低系统总成本,而不会影响GaNFET器件或系统性能。

此次收购,瑞萨将获得GaN技术的独门秘笈,从而扩展其在电动汽车、计算(数据中心、人工智能、基础设施)、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

宽禁带器件制造双管齐下

作为碳中和的基石,对高效功率系统的需求正在不断增加,功率半导体产业正在向以碳化硅和GaN为代表的宽禁带(WBG)材料过渡。

2023年5月,瑞萨表示,希望通过全面进入碳化硅器件市场来加强功率半导体业务,特别是电动汽车应用。瑞萨将在高崎工厂引入碳化硅器件生产线,Hidetoshi Shibata表示:“工厂将于2024年开始运营,2025年全速量产。未来,我们希望通过追加投资扩大规模。”

两个月后,瑞萨与Wolfspeed签订了20亿美元的十年碳化硅供应合约。Wolfspeed将在2025年向瑞萨提供150mm碳化硅裸片和外延片,以推进瑞萨向碳化硅半导体功率器件的过渡。

收购Transphorm将有助于瑞萨利用其专业知识,进一步扩展其WBG产品阵容,特别是抢占每年将增长50%以上的GaN需求。瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术开发新的电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

Transphorm优势如何?

Transphorm是GaN革新的全球引领者,为高压功率转换应用设计和制造高性能和高可靠性的GaN半导体。在其网站的logo下方“最高性能,最可靠的GaN”引人注目。

据了解,Transphorm拥有超过1000项自有或许可专利的功率GaN IP组合,推出了业界首款符合JEDEC和AEC-Q101标准的高压GaN器件。Transphorm的差异化端到端生产能力,也就是垂直整合业务模式(IDM)有助于其在设计、制造、器件和应用支持等阶段持续创新。

Transphorm的IDM模式

Transphorm的创新突破了硅的限制,实现了超过99%的效率,提高了40%的功率密度,同时降低了20%的系统成本。

在Transphorm看来,GaN的效率主要体现在以下三个方面:

满足对速度的需求——GaN在更高的频率下工作,开关速度快4倍,能够降低交叉损耗并提高系统效率;高功率密度——图腾柱配置的GaN降低了组件数量和EMI滤波器尺寸,能够以更小的占位面积提供相同的功率;更低的整体系统成本——更小、更轻、更凉爽、更高的效率和更高的功率密度意味着整体系统成本的显著降低。

现在,GaNFET有两条技术路线——增强型(E-mode)和通常采用级联(Cascode)结构的耗尽型(D-mode)。不同类型的GaNFET有不同的器件结构,每个都有各自的栅极驱动器和系统要求,如果GaN电源开关没有配备合适的栅极驱动器,使用中就可能被击穿而损坏。

德州仪器(TI)认为,相比E-mode GaNFET,采用共源共栅型(Cascode)设计的GaNFET是一种牺牲易用性的折衷方案。另外,其主要缺点是FET的输出电容较高,且由于存在体二极管,易受反向恢复的影响。为防止硅FET的雪崩击穿,Cascode GaNFET要以70V/ns(其他GaN方案为150V/ns)的压摆率工作,增加了开关交叠损耗。尽管Cascode GaNFET可以简化设计,但可能限制可实现的性能。

Power Integrations(PI)则认为,Cascode可以消除栅极驱动的挑战。因为MOS管是非常成熟的技术,栅极不需要E-mode GaNFET可能需要的负压驱动,简化了驱动电路,同时可防止发生误开通现象。而E-mode GaNFET要满足更高的驱动电压裕量来保证可靠性,就需要降低驱动电压,会导致器件导通电阻变大,牺牲GaN器件低导通电阻的优势。PI就是利用D-Mode Cascode大幅提高了其PowiGaN™ 的性能,解决了栅极驱动的挑战,特别是在器件坚固耐用方面。

E-mode为常闭型器件,这是GaN的天然状态,如果不加信号,GaN始终处于导通状态。要使GaN变成常开,就要通过直接改变物理结构,对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构,以改变栅极的导通阈值,从而实现常断型器件。而加p掺杂偏置层可能会增加风险。

Cascode可消除栅极驱动的挑战

Transphorm认为,相比E-mode,D-mode具有很多优势:更高的Vds,不需负压驱动,电路简单易用;更大的电流耐冲击能力(3倍于E-mode的饱和电流能力);更低的Vsd、更好的高温特性,以及更稳定、更小的动态电阻等。

Transphorm也表示,Cascode是唯一一种在现实应用中被证明能够实现GaN的配置。其GaN获得了各种寿命、质量和可靠性数据的支持,而目前E-mode pGaN(p型掺杂GaN)等其他配置还无法提供这些数据。

实际上,并非所有GaN的特性都是一样的,有比较才有鉴别。

Transphorm 的Cascode与E-mode的比较

下面这张表是Transphorm的Cascode与E-mode在器件质量、可靠性、终身性能,器件击穿电压、最大瞬态保护、栅极驱动安全裕度、栅极驱动抗扰度、是否需要负栅极驱动、压摆率控制、反向导通操作、饱和电流极限、并联、品质因数、管芯尺寸、热性能等特性的比较。

Transphorm的Cascode与E-mode特性比较

从表中可以看到,与E-mode相比,Transphorm的Cascode优势比较明显,特别是在栅极驱动安全裕度、栅极驱动抗扰度、反向导通操作、饱和电流极限方面相差悬殊。另外,Transphorm不需要负栅极驱动,且有1200V器件可供选择。

各有各的套路,很难一概而论

目前全球范围已有十余家GaN功率器件供应商,其中英飞凌(GaN Systems)、Navitas、英诺赛科、EPC、GaN Power、成都氮矽等采用的是E-Mode/直驱设计;Transphorm、PI、TI、Nexperia、镓未来以及大连芯冠等采用的是D-Mode/Cascode设计。

事实上,即使是同类型的器件,不同厂商的驱动方式也各不相同,其中有很多know how,专利壁垒也不少。例如,芯导科技直驱型E-Mode GaN功率IC内部集成了动电路,直接驱动电源控制器,无需配置复杂的电平转换电路。纳芯微针对E-mode GaN推出的直驱式驱动器外围电路设计更加简单,可靠性更高,可以充分发挥E-mode GaN的性能优势。

至于上述哪种类型器件更好,很难一概而论,因为不同的设计有各自的优势和适用场景。

直驱型设计通常具有更简单的外围电路,可靠性更高,能够充分发挥E-mode GaN的性能优势。然而,这种设计可能存在驱动能力较弱的问题,需要选择适当的电源控制器,以实现稳定的驱动效果。目前,只有少数器件是内置驱动设计,大部分均为GaNFET单管设计,应用时除了需要控制器,还需要驱动电路。直驱控制器的出现加速了GaN功率器件在快充市场上的应用。例如,茂睿芯在SOT23-6封装内集成了控制器和驱动器,外围电路大大精简。

Cascode设计具有更强的驱动能力和更好的耐压性能,因此在高压、大电流应用场景中有更好的表现。但是,这种设计的外围电路较为复杂,需要配置适当的电平转换电路。

综上所述,选择哪种设计更好取决于具体的应用场景和需求。在选择时需要考虑电路的复杂性、可靠性、驱动能力、耐压性能等多个因素,并进行充分的技术评估和实验验证。

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