自旋电子学突破:插入钴层释放石墨烯量子潜力

逢纪说科技 2024-09-30 01:30:51

操纵电子自旋能使电子设备运行速度更快、能耗更少,然而生成、操纵材料自旋纹理仍存在挑战。最近一个西班牙-德国研究团队发现,钴层能增强石墨烯与重金属薄膜界面的相互作用,从而增强协同量子效应。

自旋电子学利用电子自旋特性来执行逻辑任务与数据存储,这些设备速度、能耗方面优于传统半导体。

石墨烯是一种由碳原子构成的二维蜂窝结构,也是自旋电子应用的有趣候选者。石墨烯通常沉积在重金属薄膜上,两者界面会产生强烈自旋轨道耦合,从而产生不同量子效应,包括能阶的自旋轨域分裂(spin-orbit splitting,拉什巴效应)、反对称交换作用(也称贾洛申斯基-守谷相互作用),更特别的是需自旋倾斜效应来稳定涡旋状自旋结构的斯格明子(Skyrmion)。

最近,一个西班牙-德国研究团队发现当在石墨烯与重金属(团队实验使用铱)薄膜之间插入单层铁磁元素钴,上述量子效应会明显增强,有利于自旋电子学应用。

利用第三代同步加速器辐射源BESSY II分析石墨烯、钴、铱界面的电子结构,德国亥姆霍兹柏林研究中心(HZB)团队发现与预期相反,石墨烯不仅与钴相互作用,还通过钴与铱相互作用,或者说石墨烯和重金属铱之间的相互作用由铁磁钴层介导,我们可以通过钴单层数量来影响自旋倾斜效应。

研究结果表明,石墨烯的量子潜力能借由钴增强,此种石墨烯异质结构对下一代自旋电子设备来说具巨大潜力。

(首图来源:Dall-E/arö/亥姆霍兹柏林研究中心)

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