三星电子与台积电（TSMC）宣布首次合作，共同开发下一代高带宽内存（HBM4）。

据报道，台积电生态与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin在中国台湾半导体展2024（SEMICON Taiwan 2024）上确认了这一合作，并指出随着HBM工艺的日益复杂，与合作伙伴的协作变得尤为重要。

据悉，此次合作旨在开发无缓冲（bufferless）的HBM4芯片。三星计划于2025年开始量产HBM4，并通过这一合作为英伟达、谷歌等AI芯片客户提供定制化解决方案。

高带宽内存（HBM）是一种先进的DRAM技术，相较于传统内存，其处理速度显著提高，因此成为AI领域的关键技术，是推动AI高速运算和深度学习的基础。三星、SK海力士和美光等主要内存厂商正在竞相研发，并预计于2025年推出量产版HBM4。

目前，SK海力士在HBM市场中占据领先地位，根据TrendForce的数据，其市场份额达到53%，三星则以35%位居第二。三星此次与台积电的合作，旨在缩小与SK海力士之间的差距。

值得注意的是，SK海力士早在2024年4月便宣布与台积电合作开发HBM4，并计划于2026年开始量产。

三星与台积电合作的HBM4将从第六代HBM技术入手，利用台积电的技术优势，提供市场需求的定制化芯片方案。台积电在高效能晶粒制造和先进封装领域具有领先地位，三星则将其强大的DRAM制造技术融入其中。

三星电子内存事业部总裁Jung-bae Lee指出，为了充分发挥AI芯片的潜力，定制化的HBM解决方案是最佳选择。他强调，三星不仅将继续开发DRAM技术，还将提供从DRAM生产到逻辑晶粒制造及先进封装服务的一站式解决方案。