佳能的事业以光学技术为核心，涵盖了印刷业务、影像业务、医疗业务和产业及其它业务。

除了我们熟悉的打印机、相机以外，在半导体业务上也很广，这部分业务包括半导体光刻机、FPD光刻机、OLED面板制造设备、真空成膜装置、固晶机等。

今天我们来聊一聊佳能在半导体领域的消息，佳能正式发布EUV替代技术的纳米压印光刻技术设备。

佳能宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移，这是最重要的半导体制造工艺。纳米压印半导体制造系统，涵盖了多种应用与简单的模式机制。

根据手机晶片达人的微博消息称：

Canon历经20年的研发，昨天正式发布EUV替代技术的纳米压印设备 Nano Imprint Lithography NIL，目前技术水准提供5纳米制程需求，下一步为2纳米。除了现有的光刻系统之外，透过将采用奈米压印光刻（NIL）技术的半导体制造设备推向市场，佳能正在扩大其半导体制造设备阵容，涵盖从最先进的半导体设备到最广泛的用户需求。

传统的光刻设备透过将电路图案投影到涂有抗蚀剂的晶圆上来转移电路图案，而新产品则透过将印有电路图案的掩模压印在晶圆上的抗蚀剂上，就像印章一样来实现这一点。由于其电路图案转移过程不通过光学机制，因此掩模上的精细电路图案可以忠实地再现到晶圆上。因此，复杂的二维或三维电路图案可以形成在单一压印件1中，这可以降低拥有成本(CoO)。

佳能的 NIL 技术可实现最小线宽 14 nm 2的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5 奈米节点3 。此外，随着光罩技术的进一步改进，NIL可望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。

新产品采用了新开发的环境控制技术，可抑制设备内细颗粒的污染。实现了半导体层数增加所必需的高精度对准，减少了微细颗粒造成的缺陷，并可形成精细且复杂的电路，为尖端半导体装置的制造做出了贡献。

由于新产品不需要用于精细电路的特殊波长光源，因此与目前最先进逻辑半导体的光刻设备（5纳米节点，15纳米线宽）相比，可以显著降低功耗，有助于至CO 2还原。新产品可用于广泛的应用，例如用于具有数十纳米微结构的XR的Metalenses 4，以及逻辑和其他半导体装置。

不少网友表示，佳通被阿斯麦和台积电干翻这么久，这是要杀回来了吗？无论如何我们仍然期待国产EUV或纳米压印技术的设备尽早面市和应用。

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