EUV光刻机的重要性不用再说，台积电凭借率先引进EUV和拥有更多EUV，一直在晶圆代工方面领先于三星。为此，三星想要实现反超，开始争取获得更多的EUV。

如今，芯片制程向2nm及更先进制程发展，光刻机巨头ASML也推出了下一代EUV光刻机，并且还透露了更先进的EUV商用时间。不过，外媒表示尴尬局面出现了！

近日，知名专家项立刚表独特看法，他认为“台积电7nm以下制程必须使用ASML昂贵EUV光刻机”就是一个惊天骗局，台积电为了垄断市场特意制造的一个壁垒。

更有意思的是，美方也被忽悠了，认为只要卡住EUV，就能卡住我们发展先进制程。

因此，美方一直以来紧盯光刻机限制，之前限制高端EUV向大陆出货，去年又极力限制浸润式DUV。然而，高端光刻机确实被限制了，但却没有挡住我们芯片发展。

去年华为自研麒麟芯片回归就是有力证明，不少检测一致认为达到7nm水平。这还不算，近日外媒《金融时报》报道大陆即将量产5nm芯片，恐怕也不是空穴来风。

由此，项立刚认为7nm、5nm、3nm等其实都是虚标的。项专家这么讲当然也有一定道理，因为进入10nm以后，所谓几nm已经不是实际宽度，而是通过计算获得。

所以连台积电专家林本坚也表示，现在DUV光刻机也可以实现7nm，甚至是5nm。

当然，不可否认的是制造技术确实是进步了，但进步程度并没有所标的那么大。台积电这样操作，确实把英特尔给坑得不轻，如今英特尔也开始不按实际宽度标了。

关键是，台积电这样做，曾经给ASML带来了不少好处，让EUV光刻机打开市场。

如今，EUV光刻机已经成为ASML营收的重要营收支撑，台积电也因此拥有EUV光刻机的优先购买权，获得了最多的EUV光刻机。这让三星想要多得，还需要靠抢。

在这种情况下，ASML也更进一步，推出了面向2nm以下更尖端制程的下一代EUV光刻机，也就是High NA EUV。原来EUV分辨率真为13.5nm，这下提升到8nm。

不过，这一次台积电失去了优先购买权，ASML目前已经把首台发往了美企英特尔。

一方面是因为英特尔是美企，还是EUV研发联盟的发起者。另一方面也是台积电不再积极争取了，因为下一代EUV价格更昂贵，关键是明白实际价值并没有那么高。

英特尔重启芯片代工后，就制定了“四年五代”的技术追赶计划，想要在代工上跟台积电、三星展开竞争。为此，英特尔积极争取到了High NA EUV的优先购买权。

这样的话，英特尔就可以领先台积电一年实现2nm制程。但台积电似乎并不在意，就像之前三星领先半年实现3nm量产，后来台积电3nm制造技术还是领先于三星。

因此，即使英特尔率先获得了先进EUV，也未必能够真正实现对台积电的技术超越！

由此可见，High NA EUV已经不像之前EUV那样受到热捧，或许就像开头项立刚讲的那样，用现有的EUV光刻机也可以实现2nm制程，所以台积电才会那样地淡定。

在这种情况下，ASML又宣布了更先进的Hyper-NA EUV技术进展，就是High NA EUV的下一代，预计将在2030年左右开始商用，为未来更尖端的芯片制造提供助力。

之前，ASML首席技术官曾提到过，认为成本过高，Hyper-NA EUV经济层面不可行。

因为High NA EUV用户已经不多，如今仅剩下台积电、三星、英特尔，Hyper-NA EUV光刻机成本继续增长一倍，一台就超过7.6亿美元，恐怕巨头们也难以承受了！

对此有外媒直接表示：ASML的尴尬局面出现了，不仅是EUV光刻机技术即将走到尽头，未来恐怕还将面临卖不出去的局面，所以其他光刻机技术才会陆续地面世！