英伟达(NVIDIA) 执行长黄仁勋在Computex Taipei 2024 的全球媒体记者会上，回答记者问题时表示，三星先进的高频宽存储器(HBM) 芯片尚未准备好进行官方认证。而英伟达的认证是三星开始供应HBM3 和HBM3e 之前的最后一步，这对于英伟达发展人工智慧(AI) 平台相当重要。
HBM，为何爆火半导体领域的记忆体是不受宠制程，是最出名的景气循环股。但本季有个支线成为关注焦点，就是AI 时代新宠儿：HBM，高带宽记忆体。
AI人工智能一波波点醒科技业成长动能，一年半的吹拂下，从生产GPU图形芯片组的辉达（NVIDIA），到「AI五王」之称的伺服器组装厂，包括纬创、广达、英业达、光宝科、技嘉，再到高阶零组件的电源供应器台达、散热模组双鸿等。现在，这股春风终于吹上记忆体产业的脸。
2023下半年开始，半导体产业出现新话题名词：HBM（High Bandwidth Memory，高带宽记忆体），为DRAM（Dynamic Random-Access Memory，动态随机存取记忆体）的一种，采3D立体堆叠成高效能记忆体，储存执行中程式和数据，可说HBM就是叠在一起的DRAM。
HBM与传统DRAM相比，有高带宽、低功耗与体积小等优点，但因制程复杂，价格高贵，所以2013年技术突破后只有高阶产品采用，非市场主流。
但新世代高运算需求的AI芯片（GPU / CPU），目标是处理大量并行数据，所以需要高算力和大带宽，算力愈强、每秒处理数据速度愈快，带宽愈大、每秒可存取数据愈多。
三星HBM正在通过Nvidia的测试上个月，三星电子未能通过供应HBM的测试，导致股价大跌3%，在三星电子还有供应机会的消息公布了，三星电子股价正在上涨，今天上涨约3%。
由于SK海力士是Nvidia在HBM产品上的独家供应商，三星电子的加入可能打破这种垄断，这也导致今天SK海力士股价下跌约1.5%。
存储部门负责人Lee Jung-bae对下半年的HBM业务充满信心，DS部门负责人全英贤则没有透露HBM业务的具体方向。
三星电子在AI家电方向很努力，DX部门表示，AI战略会发展很大作用。今年显示器和OLEDOS业绩可能不如去年，但大家都会尽力而为。三星电机部门今年制定了MLCC销售额1万亿韩元的目标，负责人说，将会信守对股东的承诺。
有望很快供货英伟达6月4日，在台北南港展览馆的新闻发布会上，Nvidia的CEO黄仁勋就三星何时成为Nvidia合作伙伴的问题给出了回应。他指出：“鉴于我们对HBM的需求量巨大，供应速度对我们来说至关重要。目前我们正与三星、SK海力士和美光进行合作，并预计将从这三家公司获得产品。”
针对近期有关三星HBM因过热问题而测试未过的报道，黄仁勋进行了澄清：“这些报道并不属实，实际上我们与三星的合作进展顺利。尽管我希望昨天就能完成，但我们必须保持耐心。”
黄仁勋的声明让业界预期三星的HBM产品将很快供应给Nvidia。事实上，早在3月的美国开发者大会上，黄仁勋就亲自到访三星展台，对HBM3E产品进行了评估，并在展台标牌上签名“Jensen Approved”。
HBM(高带宽记忆体)是一种3D立体堆叠的高效能DRAM(动态随机存取记忆体)，用于存储执行中的程序和数据。与传统DRAM相比，HBM具有高带宽、低功耗和体积小的优势，是高算力AI芯片的首选存储解决方案。但由于其制造过程复杂且成本较高，自2013年技术突破以来，主要被用于高端产品。
随着AI芯片(GPU/CPU)对高运算需求的增长，这些芯片需要处理大量并行数据，因此对高算力和大带宽的需求日益增加。例如，Nvidia的H100超级芯片组配备了五颗HBM，容量可达80GB;而3月发布的B100和B200芯片组则使用了八颗HBM，容量提升至192GB。
SemiAnalysis的数据显示，HBM市场中SK海力士占73%，三星占22%，美光占5%，SK海力士在HBM领域布局迅速且积极。为了生产新一代HBM，SK海力士计划投资38.7亿美元用于研发和生产，并在美国印第安纳州建立先进的封装厂，预计2028年下半年开始量产。
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