据报道，芯片制造商英飞凌位于马来西亚居林（Kulim）的工厂正式投产，意味着马来西亚试图向全球半导体供应链上游进军的努力取得了一大胜利。

英飞凌正在关注可再生能源领域以及电动汽车和人工智能数据中心等电气化应用的需求。该公司表示，居林工厂计划未来五年内实现满负荷运转，届时将成为全球最大的碳化硅工厂。

作为电源和微控制器芯片市场的领导者，英飞凌正在关注多种类型的宽带隙半导体，用于下一代电源解决方案，包括基于 SiC 和氮化镓 (GaN) 的半导体。

宽带隙半导体比基于普通硅片制造的芯片具有更高的温度和电压耐受性。SiC 芯片对于高功率电动汽车充电解决方案和可再生能源基础设施等应用至关重要，而能量密集型 GaN 芯片可用于缩小充电器和适配器的尺寸。

英飞凌库林技术与研发高级副总裁Raj Kumar对记者表示：“与基于硅的功率解决方案相比，采用SiC，我们可以在相同尺寸下将功率密度提高一倍，或者在一半的尺寸下实现相同的功率。”

英飞凌预测，SiC 相关解决方案的收入将至少达到6亿欧元（6.56 亿美元）。该公司表示，将额外投资50亿欧元用于居林工厂的第二期建设，该工厂已从客户那里获得 10 亿欧元的预付款约50亿欧元的设计中标承诺。对能源效率和更高功率输出的需求不断增长，推动了电动汽车、5G基础设施和电源转换器等各个领域对宽带隙半导体器件的需求。

据研究公司Gartner称，宽带隙市场预计到2028年将达到130亿美元，2023年至2028年的复合年增长率 (CAGR) 为29.9%。

然而，业内高管表示，用于电源解决方案的SiC芯片价格仍比基于硅的解决方案高出三到四倍。该材料易碎且难以处理，需要在高达2,000 摄氏度的温度下通过单一工艺生产。业界最先进的 SiC 芯片才刚刚开始向8英寸基板过渡，而最尖端的处理器芯片已在 12 英寸晶圆基板上制造。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck致辞表示，居林3号工厂一期投资金额为20亿欧元（合计约144亿人民币）；在未来五年内，英飞凌将再投入多达50亿欧元（约391亿人民币）进行马来西亚居林第三厂区的二期建设，届时2期项目将在马来西亚创造4000个工作岗位。

新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。

据英飞凌2024财年第三季度透露，目前，居林3号工厂的扩建工作已成功获得10亿欧元资金支持，这主要得益于多家汽车主机厂和工业客户预付的设计订单。

随着居林3号工厂的正式开业，英飞凌将进一步履行其在推动功率电子和电动汽车领域技术创新方面的承诺。除了居林3号工厂外，英飞凌还投资改造奥地利的菲拉赫生产基地，也将致力于8英寸SiC/GaN的生产。

据了解，英飞凌目前正在持续推进奥地利菲拉赫的硅晶圆工厂进行改造，计划将6英寸和8英寸的硅晶圆生产线转变为碳化硅和氮化镓器件的生产线。

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