三星与台积电争夺大规模生产先进工艺节点的主导地位。据韩国媒体报道，三星目前正在试产第二代 3nm 工艺芯片（SF3）。预计未来六个月内良率将达到 60% 以上。

三星此前曾表示，计划在今年下半年开始大规模量产SF3芯片。今年将专注于生产其3纳米芯片SF3（3GAP）及其更好的版本SF3P（3GAP+）。至于2nm节点，三星已确认将在两年内推出计划。

据三星介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环栅（GAA）晶体管纳米片沟道宽度，从而提供更大的设计灵活性。为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计增加晶体管密度。

SF3工艺能够生产更高效、更强大的芯片。这将推动人工智能、物联网和汽车等各个领域的发展，该芯片还有可能彻底改变半导体性能和功耗，SF3有四点优势：

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1.更广泛的应用：SF3技术应用在其他领域中，使GAA纳米片的用途更多，且适合各种芯片设计。

2. 增强多功能性：SF3技术能增强CPU和GPU的性能和能效，提供相对于其他代工厂的竞争优势。

3.先进封装技术：SF3技术与先进封装技术兼容，有助于提高晶体管密度和功率效率。

4. 竞争优势：三星的SF3技术预计将率先与GAA FET一起推向市场，该技术在最先进的节点上比finFET更好地控制电流泄漏。

SF3芯片成功试产，极大提升三星在半导体技术方面的专业知识以及在竞争中保持领先的能力。预计三星公司的半导体业务未来将继续增长。该公司正在大力投资研发，并扩大其制造规模。去年，三星的半导体技术突破了人工智能、高性能计算和连接领域的界限。还引导其半导体合作伙伴进入新的增长时代。三星电子预计未来20年投资2300亿美元发展其在韩国的芯片制造基地。