芯片制造商竞相开发支持下一代技术所需的技术。台积电和三星在市场处于领先地位。为缩小差距，日本将希望寄托在Rapidus身上。该初创公司已从八家日本公司获得了 4850 万美元的资金，并从该国政府获得了数亿美元的补贴。现在，Rapidus及其东京大学合作伙伴宣布计划与法国Leti合作，共同开发生产1纳米半导体的技术。

鉴于其芯片元件和薄膜沉积专业知识，Leti 是此次合作的最佳选择。Leti将帮助 Rapidus 开发 1nm 芯片的供应链，预计 1nm 芯片将于 2030 年成为主流。

两家公司将共同开发生产 1.4 纳米至 1 纳米工艺芯片所需的基本技术。 Rapidus 已经与 IBM 和 Imec 合作，计划在 2027 年实现 2nm 量产。目前尚不清楚这些公司是否也会参与 1nm 工艺工作。

Leti负责研究新的晶体管结构，在原型交付后对其进行评估和测试。双方预计最早将于明年共享人员和技术。

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Leti在一份声明中表示，希望在不同的先进半导体领域建立长期、可持续的合作，包括材料、器件、工艺和技术。目的是在未来十年进一步加强半导体行业的全球合作，并共同制定长期研发路线图。

据麦肯锡预测，到 2030 年，全球芯片市场预计将达到 1 万亿美元。从 2021 年的 6000 亿美元大幅增长的动力是几乎每个行业不断增长的需求。日本希望确保其经济在收入中占据相当大的份额，日本想赶超台积电、三星和英特尔，就必须合作。台积电和三星在2025年有望在2025年进行大规模生产的2NM芯片。英特尔目前停留在 4 纳米节点，但计划最早于明年开始采用新的 1.8 纳米工艺制造芯片。

Rapidus的目标是 2025 年在其耗资数十亿美元的北海道工厂开设一条 2nm 试点生产线，并于 2027 年实现大规模生产。如果想在1nm取得进展，很大程度上取决于与 Leti 最新合作的结果。