据悉，三星电子预计于明年推出的 2nm 先进制程将较现有 3nm 工艺增加 30% 以上的 EUV 曝光层数，达“20~30 的中后半段”。

三星于2018年首次开始在其7纳米节点制程上开始使用EUV曝光技术，从那时起，随着转移到5纳米，再到3纳米节点，三星在芯片生产过程中的EUV曝光层的数量或EUV技术的步骤数量也在持续增长。

三星电子公司已同意恢复就工会在其芯片制造工厂组织罢工进行谈判，因为前所未有的劳工行动可能延续至第三周。该工会此前因薪酬和福利问题无限期罢工。

据三星电子和工会代表称，三星高管将于本周五与工会领导人会面，讨论工资谈判的框架和时间表。三星在一份声明中表示，希望罢工尽快得到解决，并证实已提议无条件恢复对话。

7月的一系列罢工和抗议是三星半个世纪历史上规模最大、范围最广的劳工抗议活动。三星电子全国工会拥有30000多名成员，在争取更高薪酬的运动显示出失去动力的迹象后，加强呼吁员工在首尔一家先进的人工智能（AI）用高带宽存储（HBM）芯片工厂以及首尔其他工厂罢工。

三星电子全国工会于7月8日开始首次总罢工，并于7月11日进入无限期总罢工。从7月8日到7月12日参加连续五天罢工的工会成员将不会获得每周的假日工资，导致下个月的工资将被扣除6天的正常工资。三星管理层此前强调，罢工期间“不工作不支付工资”原则保持不变，不考虑任何和解金。

三星电子全国工会在第二次总罢工宣言中，向管理层提出四项要求：工会成立假1天、底薪增加3.5%、绩效奖金制度改善、无薪罢工造成的经济损失补偿。

数千人参加了首次罢工集会，但目前尚不清楚有多少员工响应了工会的罢工号召。令人担心的是，长期的劳工行动可能会滚雪球般蔓延，损害三星电子公司的声誉，或引发正在复苏的科技和芯片行业的类似反应。

分析师表示，关键人员的长期罢工将给三星带来更多挑战，三星是全球最大的存储芯片制造商，正在努力应对用于AI的半导体领域的竞争。

三星表示，罢工并未对芯片生产造成干扰。

报道援引消息人士的话表示，三星的2nm制程已经增加到了 20 层的EUV光刻层。而三星的1.4nm则预计将有30多个EUV光刻层。

与此同时，三星也将EUV应用于其DRAM生产。三星为其第 6 代 10nm DRAM 应用了多达 7 个 EUV 层，而 SK 海力士则应用了 5 个EUV光刻层。随着越来越多的芯片制造商扩大其EUV工艺步骤，光刻胶、空白掩模和薄膜等相关行业也有望增长。

根据三星此前公布的工艺路线图显示，2nm SF2制程2025年推出，较第二代3GAP 3nm制程，相同运计算频率和复杂度情况下可降低25%功耗，相同功耗和复杂度情况下课提高12%计算性能，减少5%芯片面积。

接下来的2nm SF2Z 制程采用了优化的背面供电网络 (BSPDN) 技术，该技术将电源轨置于晶圆背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈。与第一代 2nm 节点 SF2 相比，将 BSPDN 技术应用于 SF2Z 不仅可以提高功率、性能和面积 (PPA)，还可以显著降低电压降 (IR 降)，从而提高 HPC 设计的性能。SF2Z 预计将于 2027 年实现量产。

三星还公布了其他 2nm 工艺的发布日期。用于移动领域的 SF2 和 SF2P 将分别于 2025 年和 2026 年推出。针对人工智能和高性能计算的 2nm 工艺将于 2026 年推出，早于 BSPDN 工艺。该公司还将于 2027 年推出用于汽车的 SF2A 工艺。

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