三极管（BJT）是一种利用输入电流控制输出电流的器件。它能够放大信号（电流放大器）并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备。

如我们所知，三极管本身并不具有功率/电压放大的功能，而是通过控制基极电流Ib的大小从而控制Ic所允许的最大电流：Ic=β*Ib。

举个例子：假如三极管的放大倍数β=100，Ib=1mA，那么Ic最大可以通过100mA的电流，那么此时三极管处于放大状态。

那有个疑问是：Ic必须是100mA还是可以小一点？例如10mA。

当然，Ic电流可以是10mA，而此时的三极管处于饱和状态。

如下图所示为典型的NPN型三极管工作状态时的载流子移动示意图，我们可以看到图中的电子（黑子）和空穴（白子）的移动示意。整体来说，我们得到了这样的一个关系：IE=IC+IB，即发射极电流等于基极电流和集电极电流之和。

对于发射结（B-E结）来说，其在三极管中工作状态与正常的PN结一样，如右上图所示为发射结输入特性曲线：描述三极管压降：VCE一定的情况下，基极电流：IB与发射结压降：VBE之间的函数关系。

我们看到这样的一个奇怪现象：加在三极管CE两极的电压VCE越大，那么B-E结的V-I曲线越被往右推。

那么，是什么原因导致VCE影响了VBE曲线呢？

我们再参考下图来分析：从发射区（E区）穿越过来的“自由电子”数量取决于VBE的大小，当VBE固定而VCE增加时，更多的“自由电子”被传输到集电区（C区），而留被基区（B区）截留的“自由电子”就变少了，从而需要增加VBE电压，来补充更多“自由电子”，所以从B-E结的V-I曲线来看，它变得更难被打开。

三极管三种工作状态

在三极管工作原理章的分析中，我们其实已经分析了三极管在不同状态下的工作原理。

主要涉及：放大状态，饱和状态，截止状态和反向工作状态。

接下来，我们再简要分析下三极管的3种正常工作状态：放大、饱和和截止状态。

1. 截止状态：发射结（B-E结）反偏，集电结（B-C结）反偏。

此时VBE<0；

所以Ib ≈ 0，Ic ≈ 0；

等效为开关断开。

2. 饱和状态：发射结正偏，集电结正偏。

此时VBE>0，VCE ≤ VBE；

所以Ib > 0，但Ic ≠ β*Ib；

因此Ic随VCE的增大而急剧增加， ΔIC<β*ΔIB；

等效为开关导通。

3. 放大状态：发射结正偏，集电结反偏。

此时VBE＞0，VCE＞VBE；

而ΔIC = β*ΔIB，Ic受控于Ib；

当Ib保持一定时，Ic也为恒定电流；

等效为电流放大器。

（2）三极管四种工作区

三极管三种工作状态对应三个工作区：截止区，放大区，饱和区。除此之外还有一个工作区：击穿区。如下图所示。

1. 截止区：VBE≤0，VBC<0，VCE>VBC，IB=0；ICEO（穿透漏电流）≠0。

2. 放大区：IC受IB控制而变化，具有电流放大的作用；当IB一定时，IC不随VCE的变化而变化（保持恒定）；VBE>0，VBC<0，VCE>VBE。

3. 饱和区：IC不随IB的增加而线性增加；VCE=VCES（饱和压降，硅：0.3V，锗：0.1V）；VBE>0，VBC>0，VCE<VBE。

4. 击穿区：非工作区，是PN结不能产生压降限制电流的现象。

1, 软击穿：击穿时PN结温度上升，但还未破坏PN结结构，击穿条件去除后，全部/部分功能得到恢复。

2, 硬击穿：PN结温度太高导致结构完全被破坏， 击穿条件去除后，功能不能恢复。