日前，由中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器件样件成功开发。此举为未来实现“千伏”以上高压架构的应用奠定了基础，并有助于实现5分钟快速补能的目标，进一步扩展了红旗新能源功率电子产品与技术的应用范围。

该功率器件采用国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新性地运用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构技术。测试结果显示，器件可承受的最高母线电压可达1200V。这些技术进步将推动补能系统向超高压平台的升级，大幅缩短充电时间。

通过结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计，以及高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等先进技术，这款碳化硅功率器件在超高压平台下能够充分发挥低损耗与高电流输出的综合性能优势。这不仅提升了动力系统的功率密度和效率，还能在高压和高温条件下保持稳定高效的运行，从而最大限度地减少整车电耗，延长续驶里程。

该技术的成功开发，为红旗新能源汽车在高压架构下的应用提供了强有力的支持，有助于推动新能源汽车充电基础设施的升级，实现更快的充电速度，进而提升用户体验和市场竞争力。

文/贾斯帕