上周五的市场中，除了锐叔之前多次提示过大家的华为海思以及折叠屏等消费电子分支继续保持热度外，也有一些新崛起的板块，如光刻机、房地产等。其中，光刻机之所以能站上风口，主要源于消息面上的催化：美国彭博社8月29日援引匿名知情人士消息报道称，荷兰政府计划限制阿斯麦（ASML）为中国客户提供维修和维护半导体设备的服务，导致部分设备最快明年可能就无法运行。报道称，阿斯麦为中国提供服务和备件的某些许可将在今年年底到期，7月就任的首相肖夫所领导的荷兰政府很可能不会续签相关许可证，预计涉及该公司高端深紫外光刻机（DUV）。

大家都知道，光刻机是半导体制造过程中价值量、技术壁垒和时间占比最高的设备之一。光刻机可分为直写光刻机与掩膜光刻机，前者经掩膜板在感光材料上成像，可分为UV (紫外线光刻机)、DUV (深紫外线光刻机)、EUV (极紫外线光刻机)。直写式光刻机用计算机控制光束投影至涂感光材料的基材上，无掩膜进行曝光。但直写光刻机在半导体应用领域窄，体量小，只能是掩膜光刻机的补充。

在掩膜光刻机中，EUV可生产7nm以下芯片，但早已被禁止出口到中国，中国目前也没有EUV。而ASML的DUV中有包括高端的NXT:2000i、NXT:2050i和低端的NXT:1980Di，其中前两种可以通过多重曝光生产出7nm芯片，但后一种不行，就算能通过多重曝光生产出7nm芯片，良率也无法达到业界水准。早在两年前，ASML就不再被允许向国内出口某些特定机种的高端DUV光刻机设备，现在如果高端DUV光刻机再被停止维修和维护，可能对国内7nm芯片的生产会形成一定的考验。但我们也绝对不会坐以待毙，势必也会同时激发中国企业和科研机构攻关核心技术的决心和信心。

从技术实力上看，国产光刻机尚与国际先进水平存在较大差距，主要体现在制程覆盖上。在低阶KrF领域，国产成熟光刻机产品主要在套刻精度和生产效率上与海外同级别产品尚存在差距。目前国内仅上海微电子可以量产光刻机，其目前最先进产品为ArFDry光刻机，型号为SSA 600/20，采用1：4镜头倍率，采用自适应调焦调平技术，可支持90nm制程；同时其ArFIm光刻机SSA800/10，目前处于研发阶段。因此目前中国大陆和全球先进水平还存在2代以上（ArFi、EUV等）的差距，目前处于快速追赶过程。

展望未来，国内光刻机产业在短期及中长期维度，都有望获得市场发展机遇。短期维度，预计中低阶机型需求保持稳定，考虑到市场已较为成熟，国内外产品性能参数接近，且下游客户推进供应链国产化意愿强烈，国产厂商有望快速提升份额。中长期维度，上海微电子在研的SSA800/10为ArFIm光刻机，如果能够实现量产，届时将覆盖目前半导体的主流工艺区间，基本满足国内半导体制造光刻机设备的需求。通过逐步覆盖各段工艺，国产光刻机设备有望基本实现自主化，且国内晶圆厂扩产主要集中于相应区间，相关市场空间广阔，有望成为国产光刻机产业链包括光刻机整机、光源系统、物镜系统、双工作台、沉浸系统厂商未来的长期增长点。