氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料，主要性质是硬度高、密度低、热膨胀系数小、化学稳定性好、抗氧化性强等特点。常常被应用在机械工业、电子工业、航空航天领域、能源领域等

以下为参与碳化硅产业的相关中国上市公司名单：

1. 天岳先进（688234.SH）：全球第二大导电型碳化硅衬底供应商，8英寸衬底良率超70%、成本较6英寸降40%。上海临港产能30万片/年，济南基地2025年6月试运营后总产能超60万片/年，12英寸衬底技术通过特斯拉、英飞凌验证，同时布局AR光学衬底。其半绝缘型SiC衬底全球市占率达20%，是5G基站射频器件核心供应商，客户有华为、诺基亚等，聚焦高端通信与航天领域，产品毛利率高。

2. 晶盛机电（300316）：主营光伏设备、半导体设备和半导体材料，全球碳化硅长晶炉市占率超50%，覆盖长晶、切割、外延全链条设备，8英寸外延设备国产化率超80%。2025年设备出货量居国内首位，同时延伸至衬底材料生产，8英寸衬底产能持续提升，12英寸多晶碳化硅技术在SEMICON 2025展出。

3. 三安光电（600703.SH）：国内最大全色系超高亮度LED芯片生产企业，国内光电领域龙头，唯一实现“衬底 - 外延 - 器件”全流程制造的IDM企业，湖南基地规划年产48万片8英寸碳化硅器件，与意法半导体合资的重庆安意法8英寸车规级产线2025年四季度量产。车规级MOSFET已进入蔚来供应链，2025年碳化硅器件营收占比提升至25%。此外，6英寸SiC衬底已量产，8英寸研发进入中试阶段，泉州SiC产业园规划年产能30万片。

4. 露笑科技（002617.SZ）：自研6 - 8英寸长晶炉实现产业化，衬底产能达20万片/年，8英寸良率60%，与比亚迪、宁德时代深度协同，合肥百亿产业园一期达产后产能将增至24万片/年，单价较国际低30%，订单储备充足，不过最近相关报道该公司要大幅削减投资百亿碳化硅项目风险。

5. 民德电子（300656）：国内领先的条码识别技术解决方案提供商，碳化硅外延片已小批量出货，晶圆代工厂广芯微电子600片/月产能逐步释放，客户包括华为、比亚迪。Smart IDM生态圈覆盖“外延 - 晶圆加工 - 芯片设计”全链条，技术储备丰富。

6. 高测股份（688556）：金刚线切片设备技术领先，切割效率提升30%，产品供应天岳先进、三安光电等头部衬底厂商，2025年受益于8英寸衬底扩产需求。

7. 东尼电子（603595.SH）：主营超微细合金线材、金属基复合材料，主要应用于消费电子、新能源等领域。碳化硅切割线及导电材料市占率超35%，技术突破使切割效率提升30%，供应天岳先进、三安光电等头部企业。子公司东尼半导体2025年营收同比增长56%，碳化硅单晶材料量产打破品质瓶颈，受益于12英寸衬底扩产的材料需求。其6英寸外延片已通过车规认证，2023年出货量同比增长200%，还与浙江大学共建实验室，开发双面冷却封装技术，提升SiC器件散热效率30%。

8. 晶升股份（688478）：其8英寸电阻法碳化硅单晶炉解决长晶过程“可视化”难题，良率提升至行业领先水平，2025年批量交付重庆基地，设备国产化率超80%，配套天岳先进、三安光电等头部企业。

9. 科创新材（920580）：北交所唯一碳化硅概念股，2025年上半年碳化硅复合材料收入同比激增436.8%，占总营收24%，碳化硅石墨复合坩埚供货贝特瑞，技术指标达行业领先水平，募投年产6000吨项目产能逐步释放。

10. 斯达半导（603290.SH）：国内车规级碳化硅MOSFET模块领军企业，产品适配蔚来、小鹏等车企800V平台，车规级模块国内市占率达35%，光伏储能领域外延片自供率提升至60%。核心业务专注于IGBT和SiC功率模块的设计研发，车规级IGBT模块配套超200万套新能源汽车主电机控制器，全球IGBT模块市场排名第五，国内第一。

11. 士兰微（600460.SH）：半导体和集成电路产品设计与制造一体的高新技术企业，IDM模式企业，涵盖IGBT单管、IPM模块及SiC MOSFET芯片。第五代IGBT芯片批量供货比亚迪、吉利等车企，SiC MOSFET芯片月产能达6000片。2024年碳化硅业务营收22.61亿元，同比增长超60%，1200V碳化硅模块通过多家车企验证并批量交付，厦门二期建成后将形成8英寸碳化硅功率器件芯片72万片/年的产能。

12. 时代电气（688187.SH）：高压IGBT龙头，6500V IGBT模块打破国外垄断，应用于高铁、电网及新能源汽车。第三代1200V SiC MOSFET芯片达国内先进水平，6英寸SiC衬底产能逐步释放，2023年新增北汽、上汽等车企订单，集中式光伏IGBT模块市占率国内第一，轨交领域市占率超90%。

13. 宏微科技（688711.SH）：从事车规级IGBT模块及SiC芯片业务，产品覆盖新能源汽车、充电桩及工业设备。M7i微沟槽芯片技术实现低导通压降与开关损耗平衡，自产IGBT芯片技术达国际先进水平。2025年IGBT模块产能预计提升至500万套/年，SiC器件产线进入试生产阶段。

14. 新洁能（605111.SH）：作为光伏储能领域IGBT单管龙头，产品适配1500V高压系统，2023年光伏逆变器用IGBT出货量同比增长120%。推出IGBT与SiC混合并联驱动方案，提升系统效率5% - 8%，应用于储能变流器及电动汽车OBC。还切入SiC功率器件领域，专注于SiC外延片设计研发，产品性能对标国际一流水平，工业与新能源市场拓展迅速。

15. 中瓷电子（003031.SZ）：中国电科院旗下，氮化镓通信基站射频芯片与器件国内市占率第一，业务为SiC陶瓷封装基板，适配1200V - 1700V高压模块，客户包括比亚迪半导体、斯达半导等，2025年规划年产能1亿片，产品应用于新能源汽车电驱系统及充电桩。

16. 华润微（688396）：国内功率半导体IDM大厂，拥有领先的碳化硅生产线，碳化硅二极管产品已量产，具备完善的SiC MOSFET、SiC二极管等产品布局，在工业与新能源领域应用广泛，产能持续扩张。技术上有8英寸衬底/外延，全电压SiC MOSFET，产品迭代出了车规级SiC MOS，光储/家电已批量生产，在车企/Tier1送样，应用于光伏、充电桩、数据中心等领域。

17. 扬杰科技（300373）：专注半导体器件研发生产，涉及碳化硅等第三代半导体材料，进行了碳化硅肖特基二极管研发与量产，产品迭代有厚模组件/智能模块集成SiC，市场上向电动汽车、新能源、轨道交通等领域的客户进行导入。

18. 捷捷微电（300623）：从事半导体器件研发生产，包括碳化硅器件。进行碳化硅衬底研发，但尚未大规模量产，有导电型衬底片生产，持续推进衬底片销售。

19. 闻泰科技（600745）：旗下安世半导体推出1200V车规级SiC MOSFET，具备出色的温度稳定性与开关速度，客户涵盖特斯拉、博世等国际大厂。其技术创新有SiC MOS第三代平台，产品迭代实现全电压SiC MOS覆盖、车规模块量产，在AI服务器、新能源汽车、光伏、充电桩等领域批量应用。

股市有风险、投资须谨慎，选股时要结合基本面、技术面等多因素，综合判断投资价值。