又一重大突破！我国离高端芯片制造完全自主只差两步！根据科技日报证实，我国自主研制的串列型高能氢离子注入机成功投入运行，核心指标达到国际先进水平！ 芯片制造有四大核心设备分别是离子注入机，光刻机、刻蚀机和薄膜沉积设备。目前，我国的刻蚀机已经达到5nm的水平，属于世界第一梯队。再加上刚刚打破垄断的氢离子注入机，这两个核心设备已经完全没有问题。 在薄膜沉积设备方面，我国已经实现了14纳米的技术突破，性能达到同类设备的先进水平，但是在14纳米以下的沉积设备，我们还需要进一步突破。 目前，差距最大的就是老生常谈的光刻机，28纳米的光刻机已经量产，国内虽然也能生产7nm芯片，但是光刻机还得靠国外技术。更高制程的光刻机，是我们的最大瓶颈。 所以，我们离高端芯片完全自主可控，就只差薄膜沉积设备和光刻机这两步了，相信我国这几年在芯片制造领域的大量投资就要取得成效，一旦这两种设备取得突破，那西方就没什么东西能够卡脖子了。