中微公司（688012）实现重大技术突破：ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®达成0.2A亚埃级刻蚀精度，跻身国际领先水平，可覆盖5纳米及更先进制程。刻蚀技术是半导体制造核心工艺，通过等离子体选择性移除晶圆材料，完成上百道微观结构加工，广泛应用于逻辑芯片、存储器件及5G、AI等高端产品。公司该设备采用独创双反应台设计，量产反应台超2000台，打破海外巨头垄断。资料来源：公司公告、21世纪经济报道等公开信息，2026年1月消息。本文不构成任何投资建议。
中微公司（688012）实现重大技术突破：ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®达成0.2A亚埃级刻蚀精度，跻身国际领先水平，可覆盖5纳米及更先进制程。刻蚀技术是半导体制造核心工艺，通过等离子体选择性移除晶圆材料，完成上百道微观结构加工，广泛应用于逻辑芯片、存储器件及5G、AI等高端产品。公司该设备采用独创双反应台设计，量产反应台超2000台，打破海外巨头垄断。资料来源：公司公告、21世纪经济报道等公开信息，2026年1月消息。本文不构成任何投资建议。
