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下面按 HBM(AI内存)+ DDR5/DRAM + 配套芯片/封测/材料,把国

下面按 HBM(AI内存)+ DDR5/DRAM + 配套芯片/封测/材料,把国内真正能做、有实质进展、2026年可落地的企业一次性列全(只讲干货、不讲概念)。

 

一、能做HBM(真正AI高带宽内存)的企业(国内仅这几家有硬货)

1)长鑫存储 CXMT(未上市,DRAM+HBM唯一IDM)

- 国内唯一能做DRAM颗粒+HBM堆叠
- 工艺:16nm DRAM,12层堆叠HBM3样品已送华为/昇腾
- 量产:2026年底HBM3量产,月产能目标5万片
- 差距:比SK海力士晚约3年;良率约60–75%(国际85%+)
- 地位:全球第四家掌握HBM3制造能力

2)华为(昇腾+自研HBM)

- 自研HBM2e/HBM3逻辑+堆叠方案,用于昇腾910/950
- 不做DRAM颗粒,与长鑫+封测厂联合量产

3)远见智存(HBM设计)

- 国内首家HBM全栈设计公司(DRAM Die + Base Die)
- 已出HBM2/2e工程片,知识产权自主

4)武汉新芯(XMC)

- 规划12英寸HBM晶圆厂,月产能3000片,主攻HBM2/3

5)海普存储(香农芯创 300475,封测+模组)

- SK海力士唯一授权第三方HBM封测+模组合作方(SK持股15%)
- HBM3E已小规模批量供货国内AI客户

 

二、能做DDR5/DRAM(AI推理/服务器内存)

1)长鑫存储(同上)

- DDR5 17nm已量产,良率80%+,全球份额7–8%

2)兆易创新(603986)

- 参股长鑫,DDR5模组+利基DRAM,深度协同

 

三、能做HBM核心配套芯片(接口/控制器/测试)

1)澜起科技(688008,全球龙头)

- DDR5 RCD/DB市占40–50%,国内100%垄断
- HBM3控制器/接口芯片已量产供货(英伟达/昇腾)

2)聚辰股份(688123)

- DDR5 SPD芯片(模组必备),国产唯一

3)精测电子(300567)

- HBM专用测试设备(晶圆/成品),已批量出货

 

四、能做HBM先进封测(2.5D/3D/TSV堆叠)

1)长电科技(600584,全球TOP3)

- HBM2/3堆叠+TSV+微凸点,工程批量良率70%+

2)通富微电(002156)

- 国内唯一可做HBM量产级封装,与长鑫深度绑定

3)深科技(000021,沛顿科技)

- HBM封测+模组,SK海力士合作方

 

五、关键材料/设备(国产突破)

- 华海诚科(688535):HBM专用塑封料GMC,已送样验证
- 中微公司/北方华创:TSV刻蚀、沉积设备,适配HBM制程
- 拓荆科技/盛美上海:混合键合、ECP镀铜设备,进入验证阶段

 

六、一句话总结(头条直接用)

- HBM制造:仅长鑫存储(2026年底量产)+华为+远见智存
- HBM封测:长电、通富、深科技
- 接口芯片:澜起科技(国内唯一)
- 整体现状:国内HBM自给率