SiC碳化硅国产替代正按下“加速键”！从6英寸到12英寸，我国分阶段推进突破海外垄断：目前6英寸衬底已实现基本国产化，8英寸小批量量产进展加快，12英寸研发同步推进，国内企业正从“卡脖子”领域逐步突围。但挑战也不容忽视：8英寸衬底良率仅约40%，与国际领先的60%-70%仍有差距；切割、离子注入等关键设备超80%依赖进口，制约全链条自主可控。尽管如此，新能源汽车800V高压平台、AI算力服务器等场景需求爆发，叠加政策精准支持，国产替代已有明确“路线图”——先攻克8英寸良率关，再突破设备、器件协同，最终实现从“跟跑”到“并跑”的跨越。这条路虽难，但碳化硅作为第三代半导体核心，突破海外垄断后有望成为我国半导体产业新优势。