国际国内时事新闻 财联社：三大存储芯片厂商正竞相研发HBM5散热技术。SK海力士推出iHBM方案，内嵌冷却元件；三星采用HPB导热块；美光主攻TSV微沟槽液冷。随着AI芯片功耗逼近1000W、HBM堆叠至20层，传统散热已无法满足需求。散热能力将成为未来HBM竞争核心，推动高导热材料、先进封装需求增长，并有望降低数据中心液冷成本。芯片三大存储芯片厂商正竞相研发HBM5散热技术
国际国内时事新闻 财联社：三大存储芯片厂商正竞相研发HBM5散热技术。SK海力士推出iHBM方案，内嵌冷却元件；三星采用HPB导热块；美光主攻TSV微沟槽液冷。随着AI芯片功耗逼近1000W、HBM堆叠至20层，传统散热已无法满足需求。散热能力将成为未来HBM竞争核心，推动高导热材料、先进封装需求增长，并有望降低数据中心液冷成本。芯片三大存储芯片厂商正竞相研发HBM5散热技术