如今AI算力与日俱增，但是一直存在诸多制约，其中很严重的一点就是“内存墙”，也就是内存带宽提升的速度远远跟不上算力需求，即便是HBM高带宽内存也经常力不从心，而且HBM的发热越来越严重。

高通在投资者日上公开了新的高带宽计算近内存架构“HBC”，尝试突破内存墙，从而让特定AI负载实现性能的线性提升。

HBC内存架构其实并不复杂：它将AI加速器从SoC系统芯片中单独拿出来，堆叠在LPDDR内存堆栈之下，彼此通过TSV硅通孔直连。

这么做可以将延迟降低到SRAM级别，还能获得堆叠内存的高密度、大容量，又避开了HBM内存复杂的封装工艺、高昂的设计成本、巨大的功耗发热，比如不需要硅中介层。

当然了，绝对带宽、容量肯定不如HBM，高通也没有公布具体数值，只是说单位功耗带宽是HBM的5-7倍，容量是片上SRAM的200倍以上。有点东西