SemiAnalysis：在VLSI 2026大会上，铠侠（Kioxia）和三星均展示了多阵列混合键合NAND架构，将其作为实现1000层以上最高密度的发展路径。

铠侠的多层堆叠单元阵列（MSA）样品包括，用于解决对准和翘曲等机械集成挑战的双218层（2层堆叠）样品，以及用于电气特性表征和QLC可靠性验证的双17层样品。

三星的单元多重键合（CMB）样品则更进一步，推出了双450层（3层堆叠）的机械样品和双155层（单层堆叠）的电气样品。

当然，商业量产还早着呢，目前大规模量产的NAND，最高的层数纪录仍然是SK hynix的321层4D NAND保持的。然后咱们的长江存储已经直逼300层了，进步速度喜人！