【中信前瞻】Tower半导体（TSEM）扩产计划落地速评
【事件概要】
1）Tower半导体于7月14日宣布，在日本政府支持下，将同步推进其位于日本的300mm硅光、硅锗、先进封装产能扩张的双轨战略
2）第一轨为对原Fab6进行改造，使其具备300mm硅光产能和先进封装能力，预计2027Q4全面投产，公司据此上调指引至2028年36亿美元营收和12亿美元净利润，高于此前彭博一致预期的32亿美元营收和9.3亿美元净利润
3）第二轨为扩建Fab7，使硅光和硅锗产能成倍增长，新设施将于2029年开始带来巨大收益，并推动下一代光连接技术的发展
4）以上扩产计划总耗资约30亿美元，其中日本政府提供10亿美元补贴

【事件速评】
1）前期扩产计划成功落地：Tower半导体曾于2026年3月宣布日本Fab7单独扩产4倍计划，但为取得日本政府产业补贴，该计划当时处于停滞+等待审批阶段此外，Tower半导体于2026Q1业绩会宣布重新启用Fab6，以便在等待审批过程中加速扩产节奏此次Tower半导体正式宣布扩产计划，表明日本政府审批已经顺利通过，扩产计划成功落地

2）需求旺盛背景下，供给扩张带来收入快速增长：Tower半导体近一年以来已宣布多次扩产计划，2025Q3业绩会宣布3倍扩产计划，2025Q4业绩会宣布5倍扩产计划，此次再次宣布Fab7扩产计划落地一方面，供给的持续扩张反应了AI浪潮下光通信的旺盛需求；另一方面，供给扩张有望支撑公司业绩快速增长

3）布局下一代光连接技术引人注目：公司此次在新闻中提及扩产计划包括先进封装产能，并提及Fab7扩产有望推动下一代光连接技术的发展此前在2026Q1业绩会上，公司称在XPO/NPO/CPO领域均有所布局我们认为，在光通信技术持续迭代背景下，公司有望凭借先发优势、产能优势、客户关系，持续保持领导地位

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