高盛开了个专家电话会，主要内容是，长鑫未来的扩产，还将拉动国产半导体设备的快速扩产。

1. 产能扩张： 专家看好本土DRAM厂商未来几年的产能扩张，并预计到2030年，行业头部企业年产能较当前可翻番以上。合肥、上海、北京等地扩产项目均应于2028年前陆续投产；2028年后还将启动一座大型晶圆厂，继续推动本土DRAM供应。专家还指出，新增DRAM产能既采用全球Tier级SPE，也采用本土SPE，部分工厂甚至主要采用本土SPE（不含高端设备，如光刻机）。

2. 产品研发：专家认为本土DRAM厂商产品仍在持续迭代。以本土龙头为例，随着生产工艺升级，其产品研发较去年又有新进展，但DRAM产品仍落后于全球同行（如速度较慢）。HBM3与HBM3E仍是该龙头2026E年的目标产品，正如专家所言。受SPE制约（如EUV、极紫外光刻），本土DRAM厂商须借助DUV（深紫外光刻）或其他创新制造工艺，才能开发高端产品（如3D DRAM）。专家认为，3D DRAM有望在2027E年迎来新一轮产品突破。

3. 存储价格走势：专家认为，尽管良率可能偏低，本土厂商DRAM价格与全球Tier级厂商基本持平。展望存储价格走势，专家预计3Q/4Q26涨幅小于1H26，主要因智能手机品牌厂商对成本上涨有所抵触；不过，中国及海外市场对AI需求依然旺盛，将支撑2027E年存储价格继续走高。专家还表示，鉴于AI需求强劲，全球Tier级厂商近期内不会将HBM产能转回传统DRAM生产