长鑫科技，AI中国力量

长鑫存储是国内规模最大、技术最先进的IDM模式DRAM企业，位列全球第四大DRAM厂商。长鑫科技代表存储中国力量，本次上市募资579亿，用于未来存储晶圆产线升级、HBM等AI前沿存储布局。

1、长鑫存储打破海外垄断，正在追平海外先进水平

长鑫核心产品DRAM动态随机存取存储，客户覆盖PC、手机移动端、AI服务器、智能汽车四大场景。

一是当前主力量产DRAM产品，代表国内存储技术追赶国际。2019年开始实现国内率先自主设计、制造DDR4芯片，实现国产DRAM从0到1的突破，打破海外寡头垄断。2025年11月，长鑫存储发布的最新DDR5产品速率最高达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，颗粒容量已逼近、追平海外主流先进水平，大幅缩小国际技术差距。当前移动端高规格量产产品LPDDR5X，适配手机端AI、车载自动驾驶算力需求，是边端存储国产替代方案。

二是面向AI算力的下一代重磅新品HBM高带宽内存，是长鑫在研的核心战略产品。长鑫的技术规划是跳代研发，当前进度是HBM3完成样品送测，规划2026年底量产；预计2027年推出HBM3E，2028年布局HBM4。技术难点在于3D堆叠和TSV硅通孔垂直封装工艺，是中长期关键突破方向。

2、AI超级周期，国产存储业绩爆发

AI时代到来，全球存储行业打破3-4年一轮的传统周期，开启超级周期。长鑫存储业绩爆发：2024年营收242亿，2025年营收618亿，2026年仅一季度营收已达508亿元，相当于2025年全年的80%。

3、进军全球前三，带动国产半导体产业链升级

未来国内存储有两大前景：一是产能快速爬坡，国际市占率提升，有望与美光争夺全球第三。根据Citrini Research数据，长鑫存储预计到2026年底每月将生产约35万片DRAM晶圆，同期美光约为37.5万片。

二是国产存储开始拉动上下游产业链协同升级。先进存储的发展，带动了国内Chiplet、2.5D/3D先进封装国产化率升至20%，存储配套封测本土市占率达75%，同步倒逼设备、材料国产化率提升，半导体供应链自主化水平全面提高。

2024年9月在市场最早预测“信心牛，科技牛”。今年1月从硅谷考察回来提醒：AI不是风口，是海啸，远超三十年前的IT互联网革命，AI的背后是算力。均是长期判断。

风物长宜放眼量。这次波动再次考验AI信仰，这是第四次科技革命，康波周期量级，不是短期判断，是长期趋势。在长期看空AI康波周期，坐井观天，毫无胜算。风口上的雄鹰将越飞越高。吹尽黄沙始见金。

市场有风险，投资需谨慎。仅为研究观点，并非投资建议。不要加杠杆，坚持长期主义。