按照光源波长差异，光刻机可划分为：
1. g线 / i线（高压汞灯，436nm/365nm）：用于成熟制程、封测等；
2. KrF（准分子激光，248nm）；
3. DUV（深紫外）：主要指ArF光刻机，波长193nm，然后又分为干式ArF，波长193nm，可支持65nm及以上制程生产；浸没式ArF（ArFi），在投影物镜与晶圆间加水（折射率1.44），等效波长降至134nm，单次曝光可覆盖38nm及以上，通过多重曝光可达7–14nm甚至等效更先进节点。
4. EUV（13.5nm，用于 7nm 及以下）。