南亚科技启动新DRAM制造厂建造计划投资107亿美元，目标10nm级EUV工艺

虽然相比三大原厂甚至长鑫存储（CXMT），南亚科技（Nanya）都属于规模相对较小的DRAM制造厂商，但是得益于过去一年的DRAM行情，南亚科技也成为了行业的关键受益者，上一季度毛利率飙升至79.5%。一方面南亚科技接收到更多溢出的DDR4和LPDDR4订单，另一方面南亚科技也在把握这次难得的发展机遇，启动了下一代DDR5等DRAM的生产投资。

据TrendForce报道，南亚科技已经开启了新DRAM制造厂Fab 5A建造计划，2026年至2029年投资上限为3466亿新台币（约合107.6亿美元/人民币725.78亿元）。南亚科技打算引入10nm级1b、1c、1d和1e工艺，以及EUV光刻设备。该项目被认为是南亚科技有史以来最大的一次投资，也是中国台湾DRAM产业近二十年来最大的一笔单一投资。

目前南亚科技已经将2026年的资本支出预算从520亿新台币增至697亿新台币，提高了约34%。新增的预算主要用于预付款，购买Fab 5A所需的设备，以确保项目能按时进行。预计Fab 5A将于2027年下半年开始投产，2028年月产量为3万片晶圆，2029年增至3.59万片晶圆，然后根据市场需求进一步扩展。Fab 5A最大产能可以达到每月4.5片晶圆，投资额提高约160亿美元，将根据市场需求分阶段部署。

南亚科技已经开始试点生产1c工艺的DRAM，1d工艺正在开发中，预计很快进入试生产阶段。目前DDR5贡献了南亚科技约10%的收入，LPDDR5计划于2026年下半年开始进行客户资格认证。