“背面供电/SPR这类技术中国在做预研，但台积电A16那种1.6nm+量产级SPR，中国大陆目前没有、也还没到那一步”。

1. 大陆当前真实水位（2026年中）
- 中芯国际（逻辑代工代表）：最先进量产/试产是 N+2（7nm级）、N+3（用于麒麟9030，等效7nm级强化），5nm级在试产线；背面供电还没进量产节点。业内推演路径是 N+4 接近台积电N5密度，N+5 才可能引入背面供电，达到 In­t­el 18A 级密度——但这还是路线图，不是现实。
- 长鑫（DR­AM）：主攻17nm DDR5、DDR5产能扩张、HBM3样品交付（2026年目标量产），做的是存储阵列和HBM堆叠，不是逻辑芯片的SPR背面电轨。
- 长江存储（3D NA­ND）：拼的是层数堆叠（300+层）和电荷陷阱结构，NA­ND本身不走逻辑SPR路线，背面供电不是它的核心命题。
- 设备/材料侧：中微（n-TSV刻蚀）、北方华创（减薄/沉积）、长电（背面fl­ip+封测）这些在做背面供电的工艺片段和设备储备，但“有设备能力”≠“有A16级SPR量产平台”。
2. 和台积电A16的代差在哪？
台积电A16 = 1.6nm级 GAA纳米片 + Su­p­er Po­w­er Ra­il（背面直触供电）+ 2026Q4量产，英伟达已锁定产能。
大陆这边：
- 逻辑最前沿：中芯N+3，DUV多重曝光、无EUV，正面供电，密度靠硬微缩，能效和台积电N6/N5有差距，更别说A16。
- 背面供电：In­t­el 18A（2025）已用Po­w­e­r­V­ia；台积电A16（2026Q4）用SPR；大陆目前是论文/会议预研 + 设备单点突破，没有对外宣布的、带背面供电的先进逻辑节点量产时间表。
3. 总结
- “中国有没有背面供电技术？” → 有苗头、有设备、有论文、有路线图，但没量产、没A16级、没跑在逻辑主节点上。
- “有没有长鑫/长存搞出A16级SPR？” → 没有，长鑫长存是存储厂，不做逻辑SPR；中芯在做更前面的节点，背面供电排在后几代（N+5以后）。
- “长鑫链/存储链/国产替代”，吃的是DR­AM涨价+国产替代+IPO情绪这波饭，
跟“台积电A16 SPR突破”是两码事——A16是埃米级前沿，长鑫是DDR5/HBM追赶，层级差着两三代。