长鑫这次的存储技术突破真的是憋着劲干出了大动静。
在上海的第四届集成芯片和芯粒大会上直接官宣，靠DUV多重曝光硬顶物理极限，绕开EUV就把存储单元从传统6F²压到了4F²，同一块晶圆面积里能多塞30%到50%的存储单元，密度上去了，单位功耗和成本还能往下压。
现在行业主流还在用6F²架构，三星和SK海力士原本规划2028年前后才量产4F²，长鑫直接把进度抢前了快两年，年底就要推出面向数据中心的4F²架构新晶片。加上已经落地的LPDDR6旗舰手机首发商用、第五代G5 DRAM工艺量产摸到国际第一梯队水准，直接把韩系存储股吓崩了，SK海力士单日跌11.42%，三星也跌超10%，连韩国付费研报圈都破天荒免费发警示，说长鑫要彻底改写DRAM的全球格局了。