安世中国：面向国内 240V 存量数据中心改造升级，安世中国已经规划了基于国产供应链的1200V SiC MOSFET产品，以支持两条主要改造路径。

1）Sidecar 方案——保留 240VAC 母线架构，新增侧挂式电源柜将 240VAC 经 SiC 整流升至 800VDC，适配 100+kW/柜高功率AI算力； 1200V SiC MOSFET模块化整流单元，是 Sidecar 方案核心器件。

2）±400V HVDC 升级——保留 240V 母线，升级整流模块至 ±400V HVDC，适配中规模 AI 推理算力。在48V中间母线及机柜内 DC/DC 副边，是100V/150V E-mode GaN 的机会，安世中国也正在探索国内供应链的解决方案。同时，安世也在开发下一代IGBT FS8系列同样使用与AIDC的应用。高速版本的1200V FS8 IGBT提供相近与SiC的开关性能，但是更好可靠性，更低的成本，是AIDC的另一个好选择。