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AI算力快速迭代，存储芯片已从传统数据仓库，升级为制约大模型训练效率、推理成本的核心战略环节。存储体系层级分工明确，各赛道刚需属性突出。

赛道投资潜力排序：HBM＞企业级SSD＞通用DRAM＞SRAM＞NOR Flash＞新型存储

一、HBM 高带宽存储器

依托TSV硅通孔工艺堆叠多层存储裸片，带宽为普通DDR5内存的16倍，是AI大模型训练核心数据传输通道。行业产能紧缺，头部厂商远期订单饱满，单机搭载量稳步提升，赛道景气度位居首位。

国际企业：SK海力士、三星、美光

A股标的

- 澜起科技：全球HBM内存接口芯片龙头

- 江波龙：HBM模组及服务器存储供应商

- 佰维存储：HBM封装与高端内存模组企业

- 长电科技：深耕HBM先进封测领域

- 通富微电：高端存储芯片封测核心厂商

二、NAND Flash/企业级SSD

非易失性存储介质，断电数据可永久保存，多层堆叠工艺实现大容量低成本存储。主要承载训练数据、模型权重与推理缓存数据，当前读写性能成为行业发展瓶颈，高端PCIe5.0 SSD市场需求持续释放。

国际企业：三星、铠侠、西部数据

A股标的

- 联芸科技：国内PCIe5.0 SSD主控量产企业

- 大普微：全栈自研企业级AI SSD产品

- 江波龙：头部企业级SSD模组厂商

- 佰维存储：固态存储与服务器存储协同发展

- 德明利：自研SSD主控，提供一站式存储解决方案

- 国科微：信创领域自主SSD主控核心标的

- 同有科技：国产存储系统落地AI场景，业绩增长强劲

三、通用DRAM 服务器主存

作为服务器基础内存，性能均衡，负责承载设备运行程序与实时数据。AI服务器内存配置规模远超传统设备，DDR5、LPDDR5X持续普及，叠加内存池化技术迭代，行业成长空间持续拓宽。

国际企业：三星、SK海力士、美光

A股标的

- 北京君正：车规级DRAM行业第二，切入工业与服务器市场

四、SRAM 静态高速缓存

集成于CPU、GPU内核，纳秒级响应速度，无需刷新即可留存数据，存取速度领先，但容量小、成本偏高。有效降低AI推理延迟，减少跨存储调取数据损耗，适配低时延算力场景。

国际企业：台积电、Groq

A股标的

- 北京君正：全球车规级SRAM市占率第一

五、NOR Flash 代码存储芯片

支持片内代码直接运行，多用于设备启动固件存储，新工艺有效压缩生产成本。AI芯片架构升级带动固件容量扩容，硬件配套需求稳步增长，应用覆盖服务器与智能终端。

国际企业：华邦电子、旺宏电子

A股标的

- 兆易创新：国内NOR Flash龙头，全球市占位居第二

- 普冉股份：主打低成本工艺，布局工控存储市场

- 恒烁股份：主营NOR Flash，同步布局存算一体技术

六、新型存储 MRAM/ReRAM

MRAM擦写性能优异，可替代部分高速缓存；ReRAM打造存算一体模式，突破传统计算架构限制。现阶段以研发和小规模商用为主，短期业绩兑现有限，长期具备技术革新潜力。

国际企业：Everspin、台积电

A股标的

- 紫光国微：国内特种MRAM研发领先企业

- 兆易创新：储备RRAM相关专利，前瞻布局前沿存储

海外企业掌控HBM、DRAM、NAND核心制造产能与尖端技术，国内企业聚焦接口芯片、先进封测、主控芯片、存储模组、车规级产品及新型存储细分赛道，国产替代进程不断提速。AI产业中存力价值日益凸显，已成为行业核心战略资产。