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RTP快速退火炉在VCSEL激光器中优化欧姆接触的应用

VCSEL(垂直腔面发射激光器)芯片是一种结构独特的半导体激光器件,其衬底材料主要为磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)

VCSEL(垂直腔面发射激光器)芯片是一种结构独特的半导体激光器件,其衬底材料主要为磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)等。该器件具有高集成度、低功耗、优异的光束质量及易于调制等特点,因此在众多领域得到广泛应用。

其主要应用场景包括:

光通信与数据中心:短距离光互连、长距离通信;

消费电子与传感器:3D视觉与摄像、环境与生物传感;

汽车电子与智能驾驶:车载激光雷达、车内环境感知;

工业与医疗领域:工业加工与检测、医疗仪器;

光学数据存储与计算:光存储、光计算及神经网络;

其他新兴应用:量子通信与光学加密、农业与植物光照等。

纵慧芯光推出搭载单孔多结vcsel芯片的极窄脉宽驱动板

纵慧芯光采用RTP快速热退火工艺对VCSEL激光器进行合金化退火(退火条件:380℃、3分钟、氮气气氛)。该工艺通过快速升降温的高温环境,有效改善器件界面特性:

高温场有助于增强欧姆接触,降低接触电阻,提升电学性能;

快速降温则有利于提高工艺效率,提升整体制造产能。

嘉仪通RTP快速退火炉通过精确控制高温场与快速升降温度,可有效改善VCSEL器件的欧姆接触性能,降低接触电阻,从而提升了整体电学特性与器件可靠性。同时,其快速升降温机制显著提高了工艺效率,为大规模、高性能VCSEL生产提供了可行的技术路径。