面对全球人工智能（AI）基础设施投资快速扩张所带动的DRAM 需求激增，韩国三星电子正采取重大策略转变，计划将位于平泽和华城园区的部分NAND Flash闪存生产线，转换为DRAM 生产设施，以应对市场的强劲需求。此外，三星还规划将平泽四厂（P4）设立为专门的DRAM 生产线，并应用最新的1c制程，以期最大化公司获利。
根据Business Korea 的报导，这项大规模的产线调整，是为了满足当前科技大厂们对AI基础设施竞相投资所产生的巨大需求。特别是在协助中央处理器（CPUs）和图形处理器（GPUs）快速运算方面扮演关键角色的DRAM。
报导引用市场消息人士透露，当前的市场趋势显示，对DRAM 的需求量已达到三大內存制造商，包括三星电子、SK海力士和美光科技供应能力的整整三倍。市场的迫切性甚至导致部分公司提出愿意以高价采购三星电子的高容量服务器DRAM，包括96GB 和128GB 的DDR5 产品，报价涨幅高达70%。然而，即便出价高昂，由于供不应求，这些公司仍无法确保足够的货源。主要科技大厂预期DRAM 短缺将会持续下去，已经开始进行针对2027年供应量的谈判。一位韩国市场人士指出，三星电子对于NAND Flash闪存市场正采取较为保守量产态度。但相较之下，通用型DRAM 的需求正显著增加，且预计价格将持续上涨，因此该公司正着手进行提高产量的相关工作。
为了满足这股排山倒海而来的DRAM 需求，三星电子计划将其部分NAND 闪存生产设施转换为DRAM 生产线。目前，三星电子在其平泽一厂（P1）、平泽三厂（P3）以及华城园区生产DRAM 和NAND Flash闪存。其中，平泽P1 和华城园区目前是以混合线的方式运营，同时生产DRAM 和NAND Flash闪存。
而三星电子的扩张计划，则预计将在P1和华城园区实施，具体方式是缩减NAND Falsh闪存的生产设施，并扩大DRAM 的生产设施。另外除了调整现有产线外，新的专用DRAM 生产设施也在建设中。包括P4 目前正在进行工程收尾阶段，预计将完工成为专门的DRAM 生产设施。它将应用10奈米等级的第六代（1c）DRAM生产技术，并计划于2026年开始营运。这使得P4 成为一个应用最新制程、致力于最大化利润的DRAM 专用产线。
另外，三星电子同时正在审核一项计划，考虑在平泽二厂（P2）生产DRAM。P2 最初的规划是作为晶圆代工的生产设施，但如今为满足市场对DRAM，因此计划转换为DRAM 生产线。因此，整体来说，一旦设施投资最早在2026年上半年完成，平泽P1 和华城园区的现有混合线中DRAM 的生产比例将会大幅提高。同时，P4 等新设施将容纳全新的DRAM 生产线，这将显著提升整体DRAM 生产能力。至于，NAND Flash闪存产量减少的部分，三星则预计将通过增加中国西安工厂的产量来填补缺口。
报导强调，市场人士指出，虽然NAND Flash闪存的供应商众多，但DRAM 基本上就是三大內存公司垄断。增加高获利DRAM 的产量，形成了一个利润将会共同增长的结构。因此，三星电子的这一系列行动，不仅是对市场强烈信号的响应，更是战略性地将资源投入到目前最具高附加值和垄断性的內存领域，以确保在AI 时代的领先地位和高额获利。
编辑：芯智讯-林子
