在研究周期品种价格走势特征时，我们时常会遭遇各类反常现象。以存储芯片为例，其价格暴涨的节点为何落在2025年而非2023年、2024年，且涨幅竟接近5倍之巨？

不少分析仅从短期供需错配的角度解释本轮价格上涨的合理性，却缺乏历史纵深与周期视角的支撑，其解释往往流于表面，缺乏严谨性。若以历史周期的维度审视，我们不仅能清晰界定本轮价格上涨的顶点位置，更可对周期结束的时间节点作出合理预判。

需要强调的是，周期本身蕴含偶然性，存储芯片在2025年的价格暴涨，正是“历史不会简单重复”的重要佐证。无论是忽视历史规律，还是机械照搬历史经验，均非科学的周期研究范式。唯有立足历史周期的脉络，结合当下市场的动态变化，才能构建更具说服力的分析框架。

一、DRAM指数

2021年6月至2025年2月，DRAM指数呈现持续下行并筑底的走势。2021年6月指数以1319.64点开盘，随后进入长期下行通道，其间虽有阶段性小幅反弹，但整体趋势未改，至2025年2月触及454.88点的周期低位，区间累计跌幅超65%。在接近周期底部的2023年至2024年，指数持续在500点上下的低位区间震荡，走势呈现出低位磨底的特征。

2025年3月起，DRAM指数结束长期筑底，进入温和回升阶段。指数从454.88点的底部开始逐步抬升，上半年整体走势相对平缓，至2025年9月，指数攀升至902.19点，较年初低点累计涨幅接近1倍。这一阶段指数波动幅度有限，呈现出震荡走高的修复性行情。

2025年10月后，DRAM指数开启爆发式上行行情。10月指数突破千点关口，此后涨幅持续扩大，11月单月涨幅超40%，2025年末指数突破2000点，进入2026年1月后更是加速冲高，最终在1月27日达到3132.82点的阶段高点，较2025年2月的低点涨幅接近6倍。这一阶段指数上行斜率陡峭，呈现出极强的上涨动能。

二、DRAM指数和碳酸锂价格

存储芯片堪称电子行业的“大宗商品”，其产品颗粒化、高度同质化的特征，使其价格波动规律与新能源行业的碳酸锂高度相似。这一共性意味着，我们在分析DRAM指数的价格走势时，完全可以从碳酸锂的历史行情中提炼复盘逻辑，甚至为预判未来走势找到有益的参照与启发。

（一）宁德时代VS碳酸锂

在2019年底至2022年底的三年周期里，宁德时代总市值与碳酸锂现货价的走势呈现出明显的时间错位特征，清晰体现了产业链上下游的传导节奏。

从启动时点来看，宁德时代的行情启动显著早于碳酸锂。2019年底，宁德时代总市值已从底部区间开始震荡抬升，率先开启了本轮上行周期；而碳酸锂价格则在低位持续震荡近一年，直到2020年底才结束蛰伏，进入明确的上涨通道，两者启动时间相差约12个月。

在见顶阶段，这一错位特征再次显现。宁德时代总市值在2021年底就已触及阶段高点，随后进入震荡回落阶段；而碳酸锂价格的上涨动能延续更久，直至2022年底才触及本轮周期的顶点，见顶时间比宁德时代晚约12个月。这种“上游滞后于下游启动，也滞后于下游见顶”的节奏，直观反映了产业链利润传导与预期兑现的时间差。

（二）英伟达VS存储芯片

类似地，英伟达的启动时点与ChatGPT发布高度重合，大致在2023年初。若简单参照新能源行业的周期经验，存储芯片价格本应在2024年初触底反弹。不少投资者在2024年提前布局存储芯片股票、耐心等待一整年，却未能如预期般收获。

究其本质，两轮周期的底层逻辑存在显著差异：上一轮新能源行业由中美两国同步发力，碳酸锂的去库周期仅需一年即可完成；而本轮AI热潮则是美国率先发力，中国直到2025年初DeepSeek出现后才正式跟进，2023年初至2025年初的两年间，仅有美国一方在推动相关需求。在此背景下，存储芯片的去库时间直接翻倍，相当于碳酸锂去库周期的两倍。

基于这一逻辑，我们可以大致推算：2025年初至2026年底的两年时间，或将成为存储芯片的主景气周期。从上行高度来看，若参照碳酸锂的历史周期规律，本轮存储芯片价格的上涨空间或有望达到10倍左右。

三、小结

我们不得不感叹，技术先发国家总能尽享双重红利：既能享受大宗商品的低价供应，又能坐拥产品的高溢价空间，可谓占尽天时地利。而当技术扩散至后发国家，局面便发生反转——不仅要直面大宗商品的供需紧张格局与高涨的原材料成本，更因技术普惠导致产品溢价消失，最终陷入激烈的同质化竞争。

万物皆周期。有时若非亲身经历，便难以真正洞悉周期的磅礴力量。当碳酸锂的10倍涨幅已然落幕，再审视存储芯片的5倍涨幅，便会觉得这一切似乎也没那么出人意料。不过，此刻再回头论及此事，难免带着几分“事后诸葛亮”的意味。但终究，后知总比未知要强。