在人工智能时代，芯片的“功耗墙”与“存储墙”是两大核心瓶颈。传统芯片中，计算和存储分离，数据搬运能耗巨大，严重拖累算力。北京大学近期两项重磅成果，为解决这一难题提供了革命性方案。

突破一：纳米栅极设计，电压降至0.6V！

电子学院邱晨光-彭练矛团队提出“纳米栅铁电晶体管”。他们将栅极尺寸缩小到1纳米极限，利用尖端电场汇聚效应，将工作电压一举降至0.6V，首次与逻辑晶体管电压（0.7V）兼容。其能耗低至0.45 fJ/μm，领先国际一个数量级，存储速度接近1纳秒。

突破二：新型二维材料，循环耐久1.5万亿次！

化学学院彭海琳团队研制出全球首个晶圆级超薄铋基二维铁电氧化物（Bi2SeO5）。基于此材料的铁电晶体管工作电压仅0.8V，在20纳秒写入速度下，耐久性高达1.5万亿次循环，远超云端AI计算标准。

这两项技术从器件结构和核心材料两个维度，共同指向了构建超低功耗、存算一体的未来芯片，为手机等设备实现“超长待机”奠定了坚实的硬件基础。