XRD 峰移能把界面应变限定到哪一类晶面变化？
XRD 峰移的物理起点是 Bragg 条件 2dhklsinθ=nλ。在波长 λ、衍射级次 n 和晶面指数 hkl 已固定时，峰位向低 2θ 移动通常对应 dhkl 增大，峰位向高 2θ 移动对应 dhkl 减小。
对外延薄膜而言，(0002) 这类对称反射主要约束 c 轴方向晶面间距；若要区分面内 a 轴变化和界面弛豫，非对称反射或 RSM 比单条对称峰含有更多晶格信息。
图2. AlxGa1-xN/AlN 薄膜的 (0002) 2θ−ω 扫描峰位。
AlxGa1-xN/AlN 薄膜的 (0002) 2θ−ω 扫描中，AlxGa1-xN、AlN 和 sapphire 的峰分布在不同 2θ 区域，外延层主峰随 Al 含量变化而移动。
这个峰位变化的直接对象是 c 轴晶面间距和外延层平均晶格参数；峰形展宽、卫星峰和 Laue 振荡 还会受到厚度、界面粗糙度、位错密度和相干长度影响。
把峰移直接写成“界面应变已完全成立”会跳过相鉴定、峰归属和晶面方向这几个前置条件。
对于纳米晶、合金薄膜或多相样品，峰位偏移还会受择优取向、仪器零点、固溶成分和微应变分布影响。
同一晶面、同一相和同一标定条件同场给出时，XRD 峰移才适合转化为界面应变的定量证据；若峰位移动伴随新相峰或明显峰形不对称，结构解释应从相变、成分梯度和微应变分布中筛查。
RSM 把衍射峰从一维 2θ 位置扩展到 Qx 和 Qz 空间。
Qz 主要承载垂直晶格信息，Qx 则反映面内周期；外延层峰靠近 fully strained 标记时，面内晶格更接近衬底约束状态，靠近 relaxed 标记时，错配已通过弛豫过程释放出更多面内差异。
RSM 把“峰移”改写成面内/面外两个晶格分量，并将单个 2θ 平均量扩展为二维倒易空间约束。
图3. AlxGa1-xN/AlN 薄膜的非对称 RSM 图和应变/弛豫位置标记。
非对称 RSM 中，AlxGa1-xN 反射强度从 partially relaxed 区域向 fully strained 位置靠近，Qx 与 Qz 的联合变化让 εa 和 εc 可以分别计算。
若某个样品在 (0002) 峰上显示 c 轴压缩，RSM 又给出面内拉伸，外延薄膜的泊松补偿图像便有了结构支撑。
此时 XRD 仍然代表衍射相干体积内的平均晶格，局域位错附近的应变尖峰还要由 TEM/GPA 或纳米束衍射来补充。
DFT 应变模型怎样和实验峰移互证？
DFT 应变模型的出发点是人为设定晶格矢量或异质界面超胞，让模型处在指定 εxx、εyy、εzz 或双轴应变状态，再弛豫内部原子坐标并检查残余应力、总能变化和结构稳定状态。
对异质界面而言，模型还涉及 匹配超胞、错配率、层间距、界面终止、真空层和 vdW 修正。
计算给出的是与实验应变态相对应的模型态，该模型态由超胞、约束条件和弛豫方式共同定义，解释 XRD 和 Raman 对接时尤其重要。
若 XRD/RSM 已经把薄膜或界面约束为“面内拉伸、面外压缩”，DFT 可以设置相同方向的应变张量，并让内部原子坐标重新达到力平衡。
Si 单轴应变模型中，两个 Si 原子在约化坐标中的位移随 ε⊥ 单调变化，沿应变方向和横向的位移符号相反。
内部坐标弛豫会改变局部键长和力常数，它正是 DFT 连接 Raman 位移的结构来源。
把实验峰移转成 DFT 模型时，XRD 推算出的 a/c 变化应进入超胞参数，Raman 归属的声子模式应进入声子计算清单。
同一个应变态若在 XRD 中按面外压缩处理、在 DFT 中却按双轴拉伸处理，计算曲线和实验峰位的相似趋势也难以支撑界面结构解释。
图6. 应变 Si 原胞中两个 Si 原子的约化坐标位移随单轴应变变化。
DFPT 或有限位移声子计算 把弛豫后的结构转化为 Γ 点光学声子频率，进而得到 Raman 模式随应变变化的斜率。
若计算得到的 LO、TO1 峰位-应变曲线与实验 Raman 峰位具有相同趋势和相近斜率，模型中的应变张量、泊松响应和内部坐标弛豫就能支撑实验峰移的结构解释。
DFT 互证的核心变量是“同一个 ε 张量下的结构、声子和实验峰位”，比单列优化后晶格常数更能约束模型。
图7. 高应变 Si 中 Raman 峰位实验结果、DFPT 曲线和 PDP 理论区间对比。
XRD、Raman 和 DFT 的互证可以写成一组有顺序的检查对象：XRD/RSM 给出 dhkl、a、c、Qx、Qz 和弛豫程度；Raman 给出 E2high、A1LO、LO、TO1 等模式的峰位和峰宽；DFT/DFPT 给出指定应变态下的原子坐标、残余应力和声子频率。
三者在应变符号、晶向和数量级上相容，界面应变就从“某个峰发生移动”变成“平均晶格、局域振动和可计算模型态之间的可复查对应”。
在 AlxGa1-xN/AlN、GaN HEMT、In(Ga)As/GaAs 纳米线和高应变 Si 这类体系中，最常见的误差来自样品平均尺度不同：XRD 覆盖较大的衍射相干体积，Raman 的激光光斑和穿透深度决定局域取样，DFT 超胞只代表被设定出来的周期模型。
把三类结果写进同一个判断时，材料体系、晶向、应变符号、峰归属和模型约束必须同场出现，这样读者才能知道峰移支撑的是哪一种界面应变，避免把所有谱图位移都归为同一种结构畸变。