有一个很简单事实，那就是目前国产内存确实是崛起了。

毕竟连苹果都想要采购中国的内存了，那证明中国内存，在品质上，在技术上都达到了苹果的要求，而苹果的要求是全球最严格的，一旦被苹果看中，意味着什么大家都懂的。

不过说实话，虽然国产内存确实是崛起了，但真要论技术，与三星、美光等顶级厂商相比，还是落后1-2代的。

目前的内存，主要是两种，一种是DDR内存，一种是HBM内存。

我们从这两种来仔细看一看，大家就懂了。

DDR内存是DDR1--DDR5，再到DDR6这样的，然后各代之间，还有一些移动版本，比如LPDDR5/LPDDR5X等。

目前从大版本来看，长鑫稳定是量产了DDR5、LPDDR5X等，似乎追上了三星们，毕竟三星们也只是稳定量产DDR5。

但事实上，三星们已经试产出了DDR6，这一点上，还是落后有一丢丢的。

当然，这都不是重要，重点是在制造工艺上，是落后1-2代的。

三星的工艺路径是1x→1y→1z→1a→1b→1c，目前进入了1c工艺，也就是11-12nm的水平，而美光、SK海力士与三星是差不多同进度的。

长鑫呢，因为没有EUV光刻机，是基于DUV光刻机的，再加上美国对先进设备的封测，较难进入14nm及以下的工艺。

所以目前的主要是G3（等效 1y/1z，17nm），目前实现了G4（等效 1z，16nm），但产能还在爬坡中，预计今年会量产G5（1a,15nm)，也就是15nm，所以从1a到1c，中间隔了两代。

再看HBM这一块，这一种芯片，其实是一种堆叠式的DRMA，它通过3D堆栈工艺和硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多个DRAM芯片，比DDR技术难度更高，更考虑工艺水平。

目前三星已经量产了HBM4，像美光、SK海力士们，也达到了HBM4的水平。

但是长鑫，因为只有G4，也就是16nm的工艺，所以目前还处于HBM2的水平，也是落后2代左右。

当然，目前有了韬定律，接下来也许能够利用 3D DRAM 架构突破，就算没有EUV，也能实现等效14nm或以下工艺，这样缩小与三星们的差距。

但实话实说，就目前来看，国产内存与三星们相比，在技术上还是落后1-2代的，还需要持续的努力才行，还有很大的提升空间，并不是真的全面追上了。