下一代高带宽内存HBM4的技术路线出现重要调整。根据最新行业动态，原本被视为HBM4实现16层堆叠必要技术的“混合键合”方案，其大规模应用时间将推迟。这主要得益于行业标准组织的关键修订和当前技术面临的成本与良率挑战。

JEDEC（固态技术协会）近期对HBM模块的高度限制进行了关键性修改，将上限从720µm提升至775µm。这一调整意味着，HBM4可以在继续使用当前成熟的“微凸块”键合技术的前提下，实现16层内存芯片的堆叠，而无需立即转向更复杂、成本更高的混合键合工艺。

混合键合技术的推迟应用，主要基于以下几项现实考量：

高昂的工艺成本：该技术需要全新的专用设备，导致单封装成本显著增加。

严峻的良率挑战：HBM堆叠包含价值极高的多层芯片，任何一层出现不可修复的缺陷都会导致整个堆叠报废。混合键合要求在键合前保持焊盘表面绝对洁净，而当前的测试探针容易造成损伤或引入颗粒，增加了制造难度和风险。

尚不经济的应用节点：目前，混合键合技术在经济性上更适合焊盘间距小于10µm的场景。HBM4的焊盘间距恰好为10µm，使得采用微凸块技术在成本和收益上更具优势。

尽管在HBM4上推迟，但混合键合技术仍是明确的发展方向。行业共识是，对于预计在2027年左右推出的HBM4E（堆叠层数可能达18-20层），或后续的HBM5，混合键合将是实现更高堆叠、更大带宽（目标4TB/s）的关键。

此外，HBM4本身也将带来重要改进，包括定制化的基础逻辑芯片以优化特定应用、引入提升安全性的新功能（如防御行锤攻击），以及预计比前代产品提升30%-40%的能效。

简单来说，HBM4技术路线的这次调整，相当于为产业链争取了宝贵的“缓冲期”，让行业能在下一代产品需求到来前，更充分地攻克混合键合在成本与制造上的难关。