光刻机，绝对是最牵动网友们心的半导体设备了。

原因是国产光刻机，离全球顶尖水平差太远了，应该有10年的差距，这个应该是差不多的，甚至差距会更大。

更重要的是，美国卡住高端光刻机，比如EUV光刻机，高端的浸润式DUV光刻机，不准ASML卖给中国，免得中国芯片制造产业追上来。

而没有EUV，几乎就无法进入7nm以下，虽然很多人说，使用浸润式DUV也可行，但我们也没有高端的浸润式DUV，按照ASML的说法，卖给我们的，是落后8代的，相当于2013年的水平，你说用这种浸润式DUV，能行么，就算行，良率会高么？

所以研发出自己的EUV，是大家共同的心愿。

所以最近有媒体报道称，日本DNP(日本印刷株式会社)宣布研发出了线宽10nm的NIL纳米压印机时，网友们很郁闷。

因为很多人说，线宽10nm的NIL纳米压印机，可以制造1.4nm的芯片，这个比ASML现在的EUV还先进了。

所以很多人称，我们要学习日本，为何它们能够弯道超车，不采用EUV技术，制造出1.4nm的光刻机，我们为何不行，我们也可以去研究NIL技术。

但说实话，我们真不能去学日本，搞NIL，当然也不是不能搞，而不是将宝押在NIL技术上，还是得去搞EUV。

为何这么说？

NIL的技术，相当盖章，先雕刻一个芯片线路图的章子，然后再将这个章子盖到制造芯片的硅晶圆上，图案就留了下来，这就是NIL的原理。

这种方式效率非常低，一台NIL连一台EUV光刻机的百分之一的效率都没有。几乎就无法用于大规模的芯片制造。

其次，雕刻这个章子的大小精细程度，需要与芯片线路图是1:1的，难度大，门槛高，复杂一点芯片，不可能雕出来，并且多层电路时，需要雕多个章子，面临着对准的大问题，同时一个这样的章子，盖50次就得报废，要重新雕，所以速度也慢。

所以说，这种NIL技术，只能用于简单的，线路图非常简洁的芯片，复杂的逻辑芯片就别想了，同时还不能大规模用来制造芯片，只能是小批量的，试验性的制造一些，这也是为何佳能早就有了NIL，但没人买单的原因。

所以，我们还真不能学日本，可以去尝试，但不是说有了这个NIL，就放弃EUV了，EUV才是大规模制造复杂的逻辑芯片必不可少的，NIL是替代不了的。

事实上，目前国内在NIL上也有突破的，之前璞璘科技就官宣了首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，已经交付给客户了，这台NIL设备，线宽＜10nm ，且是量产的设备了，这个线宽也小于10nm，为何没人吹呢，反而日本的设备被国内网友吹上了，唉，真是的。