2025年11月12日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS2025）在厦门举行，来自中国、美国、日本、加拿大、荷兰、波兰、爱尔兰、瑞典、韩国、意大利、埃及、新加坡、马来西亚、中国香港、中国台湾等国家和地区，产业链各环节超千人代表出席了会议。

右起第五位 任娜研究员上台领奖

在开幕大会上公布了2025年度中国第三代半导体技术十大进展评选结果，盛况教授团队的“万伏级碳化硅MOSFET器件研制及其产业化技术”成功获得入选，成果完成人之一任娜研究员上台领奖。

10 kV SiC MOSFET是兆瓦级柔性直流互联与新能源装备的关键核心器件。盛况教授团队实现了10 kV额定电压、导通电阻175 mΩ的4H-SiC MOSFET器件研制，芯片面积1 cm²，单芯片通流能力和制造良率均为国际最高水平。芯片实现12 kV耐压，比导通电阻接近外延理论极限，良率达50%，器件在−55 °C至175 °C保持稳定工作，并已完成500h HTRB可靠性测试，具备产业化可行性。相较传统硅器件或目前商业化的1200V-1700V碳化硅器件，需要多颗串联才能承受高电压，而10kV SiC MOSFET芯片单颗即可实现万伏级电压阻断，极大简化系统设计。未来将面向直流断路器、固态变压器等应用展开验证，支撑新型电力系统和能源清洁低碳转型，具有显著的社会经济效益。

这项创新成果受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论，是我国第三代半导体技术与产业发展日新月异的典型代表，在快速变化的浪潮中，技术突破将带来性能卓越的产品，产业发展将催生大量合作，助力应用场景扩展，开拓出更多的新兴市场，创造产业发展黄金机遇。

团队介绍

盛况教授领导的浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Laboratory，PEDL），研究方向主要包括宽禁带半导体功率芯片、先进封装和散热以及器件在各领域的应用，是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研究的团队。

内容来源：浙江大学电气工程学院