全球十大芯片制造地：量产芯片最高制程
1.中国台湾：
台积电：3纳米（2纳米2025年）
华联电子：14纳米
2.韩国：
三星电子：3纳米（2纳米在研）
SK海力士：10纳米
3.美国：
英特尔：7纳米（2纳米在研）
格芯：12纳米
4.中国：
中芯国际：7纳米（N＋1）
华虹半导体：28纳米
5.日本：
索尼：22纳米
佳能：5纳米（2025量产）
6.意大利/法国：
意发半导体：28纳米
7.荷兰：
恩智浦（飞利浦）：28纳米
8.德国：
英飞凌（西门子）：40纳米
9.以色列：
高塔半导体：65纳米
10.俄罗斯：
米克朗：90纳米