三星押注1nm芯片，半导体战局再添变数！近日，三星正式启动1nm晶圆代工工艺研发，目标直指2029年后量产 。要知道，目前来看，三星在3nm、2nm工艺上与台积电存在差距。尤其是2nm工艺，台积电良率已超60%，三星仅30%。在半导体工艺竞争白热化的当下，落后一步，就可能被市场远远抛下。如今，三星加快1nm研发，意在开辟新赛道，绕过对手优势战场。不过，1nm工艺堪称“烧钱黑洞”，不仅要打破现有设计框架，引入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）光刻机等下一代设备，单台设备成本超3.5亿欧元，还得重构芯片设计、材料与制造流程。但为了夺回市场主导权，三星别无选择。与此同时，竞争对手也没闲着。台积电2025年量产2nm，2027年推进至1.4nm，2030年冲击1nm，还建设全球首个1nm晶圆厂。英特尔凭借抢先采购High-NA EUV光刻机，18A（1.8nm）工艺预计2025年量产，2027年推出10A（1nm）。总的来看，这场1nm芯片工艺竞赛，不仅关乎三星、台积电、英特尔等巨头的市场排位，更将重塑全球半导体产业格局。谁能率先量产1nm芯片，谁就可能在未来AI算力、自动驾驶芯片等关键领域抢占先机。那么，是三星成功逆袭，还是台积电、英特尔稳守优势？让我们拭目以待 ！
